Символ |
Параметры |
Условия испытаний |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Единица |
|
ICES
|
Ток отсечения коллектора
|
VGE = 0V, VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
|
20 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C |
|
|
30 |
mA |
IGES |
Ток утечки затвора |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
0.5 |
μA |
VGE (TH) |
Напряжение порога затвора |
IC = 30mA, VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
В |
|
VCE (sat)(*1)
|
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение
|
ВЭГ = 15В, ИК = 1400А |
|
2.00 |
2.40 |
В |
ВЭГ = 15В, ИС = 1400А, Tvj = 125 °C |
|
2.45 |
2.70 |
В |
ВЭГ = 15В, IC = 1400А, Tvj = 150 °C |
|
2.55 |
2.80 |
В |
IF |
Диодный прямой ток |
Постоянный ток |
|
1400 |
|
A |
IFRM |
Пиковое течение диоды вперед |
tP = 1ms |
|
2800 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Прямое напряжение диода
|
Если = 1400A, VGE = 0 |
|
1.80 |
2.20 |
В |
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
|
1.95 |
2.30 |
В |
IF = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C |
|
2.00 |
2.40 |
В |
|
Isc
|
Короткое замыкание
|
Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9
|
|
5400
|
|
A
|
- Да, конечно. |
Входной пропускной способностью
|
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
113 |
|
нФ |
Главный офис |
Сбор за вход |
± 15 В |
|
11.7 |
|
μC |
Крес |
Капацитет обратной передачи |
VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz |
|
3.1 |
|
нФ |
LM |
Индуктивность модуля |
|
|
10 |
|
nH |
РИНТ |
Сопротивление внутреннего транзистора |
|
|
0.2 |
|
мОм |
|
td(off)
|
Время задержки выключения
|
IC = 1400A,
VCE = 900В,
VGE = ±15V, RG(OFF) = 1.8Ω, LS = 20nH,
dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
1520 |
|
nS
|
Tvj= 125 °C |
|
1580 |
|
Tvj= 150 °C |
|
1600 |
|
|
tF
|
снижение времени Время спада
|
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
nS
|
Tvj= 125 °C |
|
610 |
|
Tvj= 150 °C |
|
650 |
|
|
EOFF
|
Потеря энергии при выключении
|
Tvj= 25 °C |
|
460 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
540 |
|
Tvj= 150 °C |
|
560 |
|
|
td(on)
|
Время задержки включения
|
IC = 1400A,
VCE = 900В,
VGE = ±15V, RG(ON) = 1.2Ω, LS = 20nH,
di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
400 |
|
nS
|
Tvj= 125 °C |
|
370 |
|
Tvj= 150 °C |
|
360 |
|
|
tr
|
Время нарастания
|
Tvj= 25 °C |
|
112 |
|
nS
|
Tvj= 125 °C |
|
120 |
|
Tvj= 150 °C |
|
128 |
|
|
EON
|
Потеря энергии при включении
|
Tvj= 25 °C |
|
480 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
580 |
|
Tvj= 150 °C |
|
630 |
|
|
Qrr
|
Обратный диод
заряд восстановления
|
IF = 1400A, VCE = 900V,
- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).
|
Tvj= 25 °C |
|
315 |
|
μC
|
Tvj= 125 °C |
|
440 |
|
Tvj= 150 °C |
|
495 |
|
|
Irr
|
Обратный диод
ток восстановления
|
Tvj= 25 °C |
|
790 |
|
A
|
Tvj= 125 °C |
|
840 |
|
Tvj= 150 °C |
|
870 |
|
|
Erec
|
Обратный диод
энергия восстановления
|
Tvj= 25 °C |
|
190 |
|
mJ
|
Tvj= 125 °C |
|
270 |
|
Tvj= 150 °C |
|
290 |
|
EN
