GD600HTA120P6HT, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

В CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

В ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Я CN

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я C

Коллекторный ток @ T К =90 о C

450

A

Я CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

A

P Г

Максимальное распределение мощности ация @ Т К =75 о C Т j =175 о C

1075

В

Символ

Описание

Ценности

Единица

В RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

В

Я ФН

Использование коллектора Cu ренты

600

A

Я К

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

A

Я ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

A

Символ

Описание

Значение

Единица

Т jmax

Максимальная температура стыка

175

о C

Т - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

о C

Т СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

о C

В ИСО

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

В

г Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

г Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Я C =450A,V GE =15В, Т j =25 о C

1.40

В

Я C =450A,V GE =15В, Т j =150 о C

1.65

Я C =450A,V GE =15В, Т j =175 о C

1.70

Я C =600А,В GE =15В, Т j =25 о C

1.60

Я C =600А,В GE =15В, Т j =150 о C

1.90

Я C =600А,В GE =15В, Т j =175 о C

2.00

В GE (т )

Предельный уровень выпускателя Напряжение

Я C = 15,6 mA ,В СЕ = В GE , Т j =25 о C

6.4

В

Я CES

Коллектор Отсечение -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Ток

В СЕ = В CES ,В GE =0V, Т j =25 о C

1.0

mA

Я ГЭС

Утечка излучателя Ток

В GE = В ГЭС ,В СЕ =0V, Т j =25 о C

400

нД

R Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =25V,f=100kHz, В GE =0В

81.2

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.56

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.53

нФ

Q G

Сбор за вход

В СЕ = 600 В,I C =600A, V GE =-8...+15В

5.34

μC

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А,

R Гон =1,0Ω, R Гофф = 2,2Ω, Л С =22nH,

В GE =-8V/+15V, Т j =25 о C

290

nS

т r

Время нарастания

81

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

895

nS

т к

Время спада

87

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

53.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

47.5

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А,

R Гон =1,0Ω, R Гофф = 2,2Ω, Л С =22nH,

В GE =-8V/+15V, Т j =150 о C

322

nS

т r

Время нарастания

103

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1017

nS

т к

Время спада

171

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

84.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

63.7

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C =600А,

R Гон =1,0Ω, R Гофф = 2,2Ω, Л С =22nH,

В GE =-8V/+15V, Т j =175 о C

334

nS

т r

Время нарастания

104

nS

т d(off)

Выключение Время задержки

1048

nS

т к

Время спада

187

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

89.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

65.4

mJ

Я SC

Данные SC

т P ≤6μs, В GE =15В,

2000

A

Т j =175 о C,V CC =800V, В СМК ≤ 1200 В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

В К

Диод вперед Напряжение

Я К =450A,V GE =0V,T j =25 о C

1.80

В

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 50о C

1.75

Я К =450A,V GE =0V,T j =1 75о C

1.70

Я К =600А,В GE =0V,T j =25 о C

1.95

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 50о C

1.95

Я К =600А,В GE =0V,T j =1 75о C

1.90

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =600А,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8В Л С =22 nH ,Т j =25 о C

22.5

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

304

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.8

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =600А,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8В Л С =22 nH ,Т j =150 о C

46.6

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

336

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.2

mJ

Q r

Восстановленная зарядка

В R = 600 В,I К =600А,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8В Л С =22 nH ,Т j =175 о C

49.8

μC

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

A

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19.8

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

R 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из R 100

Т C =100 о C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

R 2=R 25эксп [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

R CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающем контуре - Да.

2.5

штанга

R фНП

Переходный пункт -до -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △ V/ △ t=10,0 дм 3/мин ,Т К =75 о C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g