GD600HTA120P6HT, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

Ценности

Единица

V CES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

V

V ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

V

О CN

Использование коллектора Cu ренты

600

А

О C

Коллекторный ток @ T F =90o C

450

А

О CM

Импульсный ток коллектора t p =1 мс

1200

А

P D

Максимальное распределение мощности ация @ T F =75o C T j =175o C

1075

Ш

Символ

Описание

Ценности

Единица

V RRM

Повторяющаяся пиковая обратная напряженность gE

1200

V

О ФН

Использование коллектора Cu ренты

600

А

О F

Диод Непрерывный прямой ток ренты

450

А

О ЧМ

Максимальный прямой ток диода t p =1 мс

1200

А

Символ

Описание

Значение

Единица

T jmax

Максимальная температура стыка

175

o C

T - Я не знаю.

Рабочая температура развязки непрерывная

Для 10s в течение периода 30 лет,обычно максимум 3000 раз в течение жизни я

-40 до +150 +150 до +175

o C

T СТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

o C

V ISO

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 мин

2500

V

d Ползучесть

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

9.0 9.0

мм

d Прозрачный

Терминал к теплоотводу Терминал к терминалу

4.5 4.5

мм

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V CE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

О C =450A,V GE =15В, T j =25o C

1.40

V

О C =450A,V GE =15В, T j =150o C

1.65

О C =450A,V GE =15В, T j =175o C

1.70

О C =600А,В GE =15В, T j =25o C

1.60

О C =600А,В GE =15В, T j =150o C

1.90

О C =600А,В GE =15В, T j =175o C

2.00

V GE (th)

Предельный уровень выпускателя Напряжение

О C =15.6mA ,V СЕ =V GE , T j =25o C

6.4

V

О CES

Коллектор Вырезан -ВЫКЛЮЧЕННЫЙ Текущий

V СЕ =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

О ГЭС

Утечка излучателя Текущий

V GE =V ГЭС ,V СЕ =0V, T j =25o C

400

нД

Пруток Гинт

Сопротивление внутреннего воротника

1.67

ω

C ies

Входной пропускной способностью

V СЕ =25V,f=100kHz, V GE =0В

81.2

нФ

C - Да.

Выходной объем

1.56

нФ

C res

Обратная передача Пропускная способность

0.53

нФ

Q G

Сбор за вход

V СЕ = 600 В,I C =600A, V GE =-8...+15В

5.34

μC

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А,

Пруток Гон =1,0Ω, Пруток Гофф = 2,2Ω, Л S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =25o C

290

nS

t пруток

Время нарастания

81

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

895

nS

t f

Время спада

87

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

53.5

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

47.5

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А,

Пруток Гон =1,0Ω, Пруток Гофф = 2,2Ω, Л S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =150o C

322

nS

t пруток

Время нарастания

103

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1017

nS

t f

Время спада

171

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

84.2

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

63.7

mJ

t d (по )

Время задержки включения

V CC = 600 В,I C =600А,

Пруток Гон =1,0Ω, Пруток Гофф = 2,2Ω, Л S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =175o C

334

nS

t пруток

Время нарастания

104

nS

t d(off)

Выключение Время задержки

1048

nS

t f

Время спада

187

nS

Е по

Включить Переключение Потеря

89.8

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

65.4

mJ

О SC

Данные SC

t P ≤6μs, V GE =15В,

2000

А

T j =175o C,V CC =800V, V СМК ≤ 1200 В

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

V F

Диод вперед Напряжение

О F =450A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

V

О F =450A,V GE =0V,T j =150o C

1.75

О F =450A,V GE =0V,T j =175o C

1.70

О F =600А,В GE =0V,T j =25o C

1.95

О F =600А,В GE =0V,T j =150o C

1.95

О F =600А,В GE =0V,T j =175o C

1.90

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =600А,

-di/dt=7040A/μs,V GE =-8В Л S =22nH ,T j =25o C

22.5

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

304

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

10.8

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5790A/μs,V GE =-8В Л S =22nH ,T j =150o C

46.6

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

336

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

18.2

mJ

Q пруток

Восстановленная зарядка

V Пруток = 600 В,I F =600А,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8В Л S =22nH ,T j =175o C

49.8

μC

О RM

Пик обратный

Ток восстановления

346

А

Е rec

Обратное восстановление Энергия

19.8

mJ

Символ

Параметры

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Пруток 25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из Пруток 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Мощность

Рассеяние

20.0

мВт

B 25/50

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

К

B 25/80

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

К

B 25/100

B-значение

Пруток 2=R 25эксп [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

К

Символ

Параметры

Мин.

Тип.

Макс.

Единица

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

8

nH

Пруток CC+EE

Сопротивление вывода модуля, Терминал на чип

0.75

мОм

p

Максимальное давление в охлаждающем контуре - Да.

2.5

пруток

Пруток фНП

Переходный пункт -к -Охлаждение Жидкость (наIGBT )Соединение с охлаждающей жидкостью (по D йода) △V/ △t=10,0 дм 3/мин ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

М

Крутящий момент соединения терминала, Винт M5 Крутящий момент установки, Винт М4

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Вес из Модуль

750

g