IGCT,Асимметричное устройство IGCT,SC3.CRC 2200-45,CCRC, Обратное проводящее

В _ЦП

4500

В

Я _TGQM

2200

A

Я _TSM

20

кА

В До

1.31

В

r _Т

0.373

мОм

В _DClink

2800

В

符号

参数名称

минимум

типичный

максимум

单位

К

сила затяжки

36

40

44

кН

Г p

диаметр столешницы

-

85

-

мм

H

высота корпуса

-

26

-

мм

м

качество

-

2.8

-

кг

Г с

дистанция пробоя

33

-

-

мм

Г a

дистанция разряда

10

-

-

мм

Я

IGCT длина

-

439

-

мм

h

IGCT высота

-

41

-

мм

в

IGCT 宽度

-

174

-

мм

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

В ЦП

повторяющееся пиковое напряжение в отключенном состоянии

питание блока управления , Т VJ = 125°C, Я Г ≤ Я ДРМ, т p = 10мс

-

-

4500

В

Я ЦП

повторяющееся пиковое значение тока в отключенном состоянии

питание блока управления , Т VJ = 125°C, В D = В ДРМ, т p = 10мс

-

-

50

mA

В DClink

среднее постоянное напряжение

питание блока управления , 100FIT допустимое среднее постоянное напряжение для коэффициента отказа

-

-

2800

В

В RRM

обратное напряжение

/

-

-

17

В

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

Я T(AV) Я T(RMS)

средний ток в включенном состоянии

квадратный средний ток в включенном состоянии

Т C = 85°C, 正弦半波 , двустороннее охлаждение

-

-

-

-

1130

1800

A

A

Я TSM

Я 2т

неповторяющийся импульсный ток в включенном состоянии

интеграл тока по времени

Т Vj =

125°C, 正弦半波 , 10мс, В D = В R = 0

-

-

-

-

20

200

кА

104A2s

В TM

напряжение в включенном состоянии

Т Vj =

125°C, Я T = 2200A

-

-

2.24

В

В До

r Т

напряжение порога

сопротивление наклона

Т Vj =

125°C, Я T = 400…3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

В

мОм

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

г я Т /dт

критическая скорость нарастания тока в включенном состоянии

Т Vj = 125°C, Я T = 2200A, В D = 2800V,

к = 0..500Гц, Я TM ≤ 2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μs

т не

开通延迟时间

-

3

μs

т donSF

время задержки обратной связи при включении

Т Vj = 125°C, Я T = 2200A, В D = 2800V,

CCL = 10μF, d я /dт = В D/Li, RS = 0.4Ω,

-

-

7

μs

т r

время спада анодного напряжения

Л i = 3μH, Л CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

Е нА

энергия включения одиночного импульса

-

-

0.9

J

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

Я TGQM

максимальный отключаемый ток

Т VJ = 125°C, В Дм ≤ В ДРМ, В D = 2800V, Л КЛ ≤ 0.3μH, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A

т doff

задержка отключения

-

-

7

μs

т doffSF

время задержки обратной связи при отключении

Т Vj = 125°C, Я TGQ = 2200A, В D = 2800V,

В Дм ≤ В ДРМ, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω,

-

-

7

μs

т к

снижение времени

Л i = 3μH, Л CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

энергия отключения одиночного импульса

-

-

12

J

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

Я F(AV)

Я К (РМС )

прямой средний ток

Т C = 85°C , 正弦半波

-

-

405

A

прямой эффективный ток

-

-

635

A

Я ФСМ

Я 2т

浪涌电流 (Восходящий электрический поток)

интеграл тока по времени

т p = 10мс, Т VJ = 125°C, В R = 0V

-

-

11

кА

-

-

60.5

104A2s

В К

напряжение в включенном состоянии

Я F = 2200A, Т VJ = 125°C

-

-

3.93

В

В (F0)

r К

напряжение порога

сопротивление наклона

Т VJ = 125°C, Я F = 400...3000A

-

-

2.32

В

-

-

0.735

мОм

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

В ФР

пиковое напряжение обратного восстановления

г я F/d т = 650A/μs, Т VJ = 125°C

-

-

80

В

символ номер

участие число название наименование

пункт элемент

наименьший минимум

типичный модель

наименьший максимум

单 位

Т Vj

диапазон рабочих температур кристалла

0

-

125

℃

Т СТГ

диапазон температур хранения

/

0

-

60

℃

Т AMB

диапазон температур окружающей среды

0

-

50

℃

GCT R thJC GCT

тепловое сопротивление кристалл-оболочка

тепловое сопротивление контакта

двустороннее охлаждение

-

-

-

-

0.0126

0.0042

K/W

K/W

FRD R thJC FRD

тепловое сопротивление кристалл-оболочка

тепловое сопротивление контакта

двустороннее охлаждение

-

-

-

-

0.0260

0.0104

K/W

K/W