Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 600A.
Ciri-ciri
-
Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
-
10μs kapasiti litar pintas keupayaan
-
V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Rendah induktans kes
-
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti-paralel
-
Plat asas tembaga terasing meng gunakan teknologi HPS DBC
Tipikal Aplikasi
-
Inverter untuk pemacu motor
-
AC dan DC servo pemandu pemberi kuasa
-
Bekalan kuasa tidak terputus er bekalan
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu
Voltaj Gerbang-Emitor Transien
|
±20
±30
|
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C =90o C
|
873
600
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
1200 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
2727 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Voltaj Balik Puncak Berulang umur |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda berterusan ke hadapan Cu rental |
600 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Julat Suhu Penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min |
2500 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.75 |
2.20 |
V
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =125o C |
|
2.00 |
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.05 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Dalaman Gate |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
55.9 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
1.57 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =- 15...+15V |
|
4.20 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.5Ω
l S =34nH, V GE = ± 15V,T j =25o C
|
|
109 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
62 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
469 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
68 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
42.5 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
46.0 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G = 1.5Ω,
L S =34nH ,
V GE = ± 15V,T j =125o C
|
|
143 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
62 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
597 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
107 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
56.5 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
70.5 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G = 1.5Ω,
L S =34nH ,
V GE = ± 15V,T j =150o C
|
|
143 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
68 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
637 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
118 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
61.2 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
77.8 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.05 |
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =150o C |
|
2.10 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =25o C
|
|
58.9 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
276 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
20.9 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =125o C
|
|
109 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
399 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
41.8 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4300A/μs,V GE =- 15V, L S =34nH ,T j =150o C
|
|
124 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
428 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
48.5 |
|
mJ |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
|
20 |
nH |
R CC’+EE’ |
Rintangan Modul, Terminal Ke Cip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per Di ode)
|
|
|
0.055
0.089
|
K/W |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Kes-ke-pemanas (pe r Diode)
Kes-ke-pemanas (per M odul)
|
|
0.032
0.052
0.010
|
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
300 |
|
g |
EN
