MTx800 MFx800 MT800,Modul Tiristor/Dioda,Penyejukan Udara

VRRM,VDRM

Jenis & Garis Besar

600V

MTx800-06-410F3

MFx800-06-410F3

800V

MTx800-08-410F3

MFx800-08-410F3

1000V

MTx800-10-410F3

MFx800-10-410F3

1200V

MTx800-12-410F3

MFx800-12-410F3

1400V

MTx800-14-410F3

MFx800-14-410F3

1800V

MTx800-16-410F3

MFx800-16-410F3

1800V

MTx800-18-410F3

MFx800-18-410F3

1800V

MT800-18-410F3G

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

Purata semasa keadaan

180° separuh gelombang sinus 50Hz

Satu sisi sejuk, TC=70 ℃

125

800

A

IT(RMS)

Arus keadaan RMS

1256

A

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

45

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

VR=60%VRRM, t=10ms separuh sinus,

125

22.0

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

125

2420

103A2s

VTO

Voltan Ambang

125

0.80

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

0.24

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=2400A

25

1.68

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.8

3.0

V

IH

Aktifkan arus

10

200

mA

IL

Arus penguncian

1500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.048

℃ )/W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes ke heatsink

Dingin sebelah tunggal setiap cip

0.020

℃ )/W

VISO

Voltan pengasingan

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)

3000

V

FM

Tombok sambungan terminal ((M12)

12.0

16.0

N·m

Tombor pemasangan ((M8)

10.0

12.0

N·m

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃ )

TSTG

Suhu simpanan

-40

125

℃ )

Wt

Berat

3310

g

Gambaran Ringkas

410F3