GD200HFF120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=85o C

294

200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T =175o C

1056

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

IC=200A,V GE =15V, T j =150o C

2.55

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

100

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.75

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.58

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.55

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j =25o C

374

n

t r

Masa naik

50

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

326

n

t f

Waktu kejatuhan

204

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

13.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

10.4

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

n

t r

Masa naik

63

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

383

n

t f

Waktu kejatuhan

218

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

20.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

n

t r

Masa naik

65

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

388

n

t f

Waktu kejatuhan

222

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

22.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

10.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

90

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

3.40

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

132

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

9.75

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

142

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

15

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.034

0.048

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g