Semua Kategori

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama /  Produk /  Modul IGBT  /  Modul IGBT 1200V

GD450HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT,1200V 450A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
Pengenalan

Pendahuluan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 450A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu sambungan maksimum 175oC
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

900

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj = 175 o C

2307

W

Dioda

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

450

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

900

A

Modul

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.95

Saya C =450A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C = 18.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.31

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45 nH ,T vj =25 o C

284

n

t r

Masa naik

78

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

388

n

t f

Waktu kejatuhan

200

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

45.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

33.4

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45 nH ,T vj =125 o C

288

n

t r

Masa naik

86

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

456

n

t f

Waktu kejatuhan

305

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

60.1

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

48.4

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls =45 nH ,T vj =150 o C

291

n

t r

Masa naik

88

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

472

n

t f

Waktu kejatuhan

381

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

63.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

52.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Dioda Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =450A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.90

2.35

V

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =125 o C

2.00

Saya F =450A,V GE =0V,T vj =150 o C

2.05

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE =-15V, Ls =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

296

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.8

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE =-15V, Ls =45 nH ,T vj =125 o C

58.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

309

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

17.7

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE =-15V, Ls =45 nH ,T vj =150 o C

83.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

330

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

20.3

mJ

Modul Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.35

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.065 0.119

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g

Gambaran Ringkas

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000

PRODUK BERKAITAN

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Penawaran

Dapatkan Penawaran Percuma

Perwakilan kami akan menghubungi anda secepat mungkin.
Email
Name
Nama Syarikat
Mesej
0/1000