Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 400A.
Ciri-ciri
- Teknologi NPT IGBT
- keupayaan litar pintas 10μs
- Kerugian pertukaran rendah
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
- Bekalan kuasa mod suis
- Pemanasan induktif
- Pengimpal elektronik
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
VCES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
VGES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
IC |
Arus Pengumpul @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
A |
ICM |
Arus Pengumpul Berdenyut tp=1ms |
800 |
A |
PD |
Penghapusan kuasa maksimum @ T = 150oC |
2659 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
VRRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1200 |
V |
IF |
Arus Terus Diode |
400 |
A |
IFM |
Arus Maju Maksimum Diode tp=1ms |
800 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
Tjmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
150 |
oC |
Tjop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +125 |
oC |
TSTG |
Julat Suhu Penyimpanan |
-40 hingga +125 |
oC |
VISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =400A,V GE =15V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
Saya C =400A,V GE =15V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
|
0.6 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
26.0 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
1.70 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =- 15...+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,
V GE =±15V, T j =25o C
|
|
76 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
57 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
529 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
73 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
5.2 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
23.2 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,
V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
81 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
62 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
567 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
81 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
9.9 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
31.7 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V
|
|
2800
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V F |
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =400A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
24.9 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
317 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
16.0 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C
|
|
35.5 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
391 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
21.4 |
|
mJ |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
|
20 |
nH |
R CC’+EE’ |
Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip |
|
0.18 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per Di ode)
|
|
|
0.047
0.100
|
K/W |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Kes-ke-pemanas (pe r Diode)
Kes-ke-pemanas (per M odul)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
300 |
|
g |
EN
