GD400SGU120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

VCES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

VGES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Arus Pengumpul Berdenyut tp=1ms

800

A

PD

Penghapusan kuasa maksimum @ T = 150oC

2659

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Terus Diode

400

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode tp=1ms

800

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

Tjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

oC

Tjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

oC

TSTG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

oC

VISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE =15V, T j =25 o C

2.90

3.35

V

Saya C =400A,V GE =15V, T j =125 o C

3.60

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C = 16.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.6

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.0

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.70

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.2

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

76

n

t r

Masa naik

57

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

529

n

t f

Waktu kejatuhan

73

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

5.2

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

23.2

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G =2.2Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

81

n

t r

Masa naik

62

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

567

n

t f

Waktu kejatuhan

81

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

9.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

31.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

2800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.96

2.31

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

24.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

317

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

16.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

35.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

391

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

21.4

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.18

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.047

0.100

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Kes-ke-pemanas (pe r Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.015

0.031

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g