GD400HFX120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C =90 o C

595

400

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p = 1ms

800

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C

1875

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

800

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =25 o C

1.75

2.20

V

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =125 o C

2.00

Saya C =400A,V GE = 15V, T j =150 o C

2.05

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C = 10.0mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

37.3

nF

C res

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.04

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.80

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j =25 o C

205

n

t r

Masa naik

77

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

597

n

t f

Waktu kejatuhan

98

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

18.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

32.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

214

n

t r

Masa naik

86

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

626

n

t f

Waktu kejatuhan

137

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

28.4

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

48.9

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =400A, R G =2.0Ω,

V GE =±15V, T j = 150o C

198

n

t r

Masa naik

94

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

646

n

t f

Waktu kejatuhan

147

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

30.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

53.8

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs,V GE = 15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1440

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =400A,V GE =0V,T j =25 o C

1.75

2.15

V

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

Saya F =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

40

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

299

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

20.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

70

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

399

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

80

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

419

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

43.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

15

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g