GD150HCX170C6SA ,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

1136

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=150A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

4.3

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =25o C

206

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

337

n

t f

Waktu kejatuhan

331

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

39.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

21.7

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =125o C

232

n

t r

Masa naik

54

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

422

n

t f

Waktu kejatuhan

514

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

55.3

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

32.7

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V GE =±15V, Ls =48nH ,T vj =150o C

239

n

t r

Masa naik

57

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

442

n

t f

Waktu kejatuhan

559

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

60.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

IF =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=2464A⁄μs,V GE =-15V Ls =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

142

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

22.3

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1956A⁄μs,V GE =-15V Ls =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

147

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

35.0

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di⁄dt=1795A⁄μs,V GE =-15V Ls =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

148

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

1.10

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.132 0.209

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g