GD50PIX170C6SA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

100

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

384

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

50

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

100

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

50

A

Saya FSM

Arus Suruhan Ke Hadapan V R =0V,T p =10ms,T j =45o C

850

A

Saya 2t

Saya 2nilai t,V R =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A 2s

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

100

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

384

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

50

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

100

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter,pembrem) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

Saya C =50A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resis Dalaman Pintu tance

9.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

163

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

290

n

t f

Waktu kejatuhan

347

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.28

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

186

n

t r

Masa naik

51

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

361

n

t f

Waktu kejatuhan

535

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.1

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

192

n

t r

Masa naik

52

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t f

Waktu kejatuhan

566

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25o C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

48

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125o C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

52

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150o C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

54

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =50A, V GE =0V, T j =150o C

1.14

V

Saya R

Arus terbalik

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

Saya C =50A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

Saya C =50A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

9.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

163

n

t r

Masa naik

44

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

290

n

t f

Waktu kejatuhan

347

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

7.28

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

186

n

t r

Masa naik

51

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

361

n

t f

Waktu kejatuhan

535

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.1

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =50A, R G =9.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

192

n

t r

Masa naik

52

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

374

n

t f

Waktu kejatuhan

566

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.0

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Saya F =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

Saya F =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =25o C

11.8

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

48

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =125o C

20.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

52

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE =-15V T j =150o C

23.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

54

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

60

nH

R CC’+EE’ R AA ’+CC ’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

4.00 2.00

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier) Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -brake )

Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -brake )

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Dio de-brake) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g