Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 600A.
Ciri
- Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
- keupayaan litar pintas 10μs
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
- Suhu sambungan maksimum 175oC
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Tipikal Aplikasi
- Inverter untuk pemacu motor
- Penguat pemacu servo AC dan DC
- Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C =100o C
|
480
300
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
1613 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1200 |
V |
Saya F |
Arus Maju Berterusan Diod =0V, |
300 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
600 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
VCE (sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
VGE(th) |
Tegangan Ambang Gate-Emitter |
IC=7.50mA, VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
Pemotongan Kolektor
Semasa
|
VCE=VCES,VGE=0V,
Tj=25oC
|
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Arus Kebocoran Gate-Emitter |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
nA |
RGint |
Rintangan Dalaman Gate |
|
|
2.5 |
|
ω |
Ces |
Kapasiti input |
VCE=25V,f=1MHz,
VGE=0V
|
|
31.1 |
|
nF |
Cres |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
0.87 |
|
nF |
Qg |
Bayaran pintu |
VGE=- 15…+15V |
|
2.33 |
|
μC |
td ((on) |
Masa kelewatan penyambutan |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC
|
|
182 |
|
n |
tr |
Masa naik |
|
54 |
|
n |
td ((off) |
Masa kelewatan penutupan |
|
464 |
|
n |
tF |
Waktu kejatuhan |
|
72 |
|
n |
EON |
Penghidupan Suis
Kerugian
|
|
10.6 |
|
mJ |
EOFF |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
25.8 |
|
mJ |
td ((on) |
Masa kelewatan penyambutan |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC
|
|
193 |
|
n |
tr |
Masa naik |
|
54 |
|
n |
td ((off) |
Masa kelewatan penutupan |
|
577 |
|
n |
tF |
Waktu kejatuhan |
|
113 |
|
n |
EON |
Penghidupan Suis
Kerugian
|
|
16.8 |
|
mJ |
EOFF |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
38.6 |
|
mJ |
td ((on) |
Masa kelewatan penyambutan |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC
|
|
203 |
|
n |
tr |
Masa naik |
|
54 |
|
n |
td ((off) |
Masa kelewatan penutupan |
|
618 |
|
n |
tF |
Waktu kejatuhan |
|
124 |
|
n |
EON |
Penghidupan Suis
Kerugian
|
|
18.5 |
|
mJ |
EOFF |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
43.3 |
|
mJ |
|
ISC
|
Data SC
|
tP≤10μs,VGE=15V,
Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
VF
|
Dioda Maju
Voltan
|
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC |
|
1.65 |
|
IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC |
|
1.65 |
|
Qr |
Caj Dipulihkan |
VCC=600V,IF=300A,
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC
|
|
29 |
|
μC |
IRM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
318 |
|
A |
Erec |
Tenaga Pemulihan Balik |
|
18.1 |
|
mJ |
Qr |
Caj Dipulihkan |
VCC=600V,IF=300A,
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC
|
|
55 |
|
μC |
IRM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
371 |
|
A |
Erec |
Tenaga Pemulihan Balik |
|
28.0 |
|
mJ |
Qr |
Caj Dipulihkan |
VCC=600V,IF=300A,
-di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC
|
|
64 |
|
μC |
IRM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
390 |
|
A |
Erec |
Tenaga Pemulihan Balik |
|
32.8 |
|
mJ |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
LCE |
Induktans Terbuang |
|
|
20 |
nH |
RCC’+EE’ |
Rintangan Modul, Terminal Ke Cip |
|
0.35 |
|
mΩ |
RthJC |
Junction-to-Case (per IGBT)
Junction-to-Case (per Diod)
|
|
|
0.093
0.155
|
K/W |
|
RthCH
|
Kes-ke-pemanas (per IGBT)
Case-to-Heatsink (per Diod)
Case-to-Heatsink (per Modul)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
K/W |
M |
Tomb sambungan terminal, skru M6 Tomb pemasangan, skru M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat Modul |
|
300 |
|
g |
EN
