Pengenalan ringkas
Modul IGBT , dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 900A.
Ciri-ciri
-
Rendah V CE (sat ) Parit IGBT teknologi
-
10μs keupayaan litar pintas ility
-
V CE (sat ) dengan positif suhu pepejal
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
-
Rendah induktans kes
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
-
Keupayaan kuasa tinggi dan kitaran terma iaitu
Tipikal Aplikasi
- Penukar kuasa tinggi
- Tenaga solar
- Kenderaan hibrid dan elektrik
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1522
900
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
1800 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
5.24 |
kw |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1200 |
V |
Saya F |
Arus Maju Berterusan Diod =0V, |
900 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
1800 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =900A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Saya C =900A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
Saya C =900A,V GE =15V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =22.5mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
|
0.63 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
93.2 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
2.61 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =-15 ﹍+15V |
|
6.99 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,
V GE =±15V, T j =25o C
|
|
214 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
150 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
721 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
206 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
76 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
128 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,
V GE =±15V, T j =125o C
|
|
235 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
161 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
824 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
412 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
107 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
165 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =900A, R G =1.6Ω,
V GE =±15V, T j =150o C
|
|
235 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
161 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
876 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
464 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
112 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
180 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V
|
|
3600
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =900A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.90 |
2.25 |
V
|
Saya F =900A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.85 |
|
Saya F =900A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
1.80 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j =25o C
|
|
86 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
475 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
36.1 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 125o C
|
|
143 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
618 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
71.3 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =900A,
-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V T j = 150o C
|
|
185 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
665 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
75.1 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Pengecualian bagi R 100 |
T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa
Perosakan
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-
1/ ((298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
18 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Rintangan Modul, Terminal Ke Cip |
|
0.30 |
|
mΩ |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per D iode)
|
|
|
28.6
51.9
|
K/kW |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Case-to-Heatsink (p er Diode)
Case-to-Heatsink (per Modul)
|
|
14.0
25.3
4.5
|
|
K/kW |
|
M
|
Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
1.8
8.0
3.0
|
|
2.1
10
6.0
|
N.M
|
G |
Berat bagi Modul |
|
825 |
|
g |
EN
