GD800HFX120C6HA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =100o C

800

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1600

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

5172

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

800

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1600

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C = 800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

Saya C = 800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

Saya C = 800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.7

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

1.74

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =25o C

266

n

t r

Masa naik

98

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

394

n

t f

Waktu kejatuhan

201

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

108

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

73.8

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =125o C

280

n

t r

Masa naik

115

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

435

n

t f

Waktu kejatuhan

275

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

153

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

91.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C = 800A, R G =1.0Ω, V GE =±15V, L S =40nH ,T j =150o C

282

n

t r

Masa naik

117

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

446

n

t f

Waktu kejatuhan

290

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

165

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

94.4

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

Saya F = 800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

264

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

18.0

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

291

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

35.3

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, L S =40nH ,T j =150o C

107

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

293

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.5

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.029 0.050

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat bagi Modul

350

g