GD800HFX120C6HA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

800

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1600

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

5172

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

800

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1600

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC= 800A,V GE =15V, T j =25o C

1.95

2.40

V

IC= 800A,V GE =15V, T j =125o C

2.30

IC= 800A,V GE =15V, T j =150o C

2.40

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.7

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

1.74

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =25o C

266

n

t r

Masa naik

98

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

394

n

t f

Waktu kejatuhan

201

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

108

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

73.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =125o C

280

n

t r

Masa naik

115

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

435

n

t f

Waktu kejatuhan

275

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

153

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

91.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V GE =±15V, LS =40nH ,T j =150o C

282

n

t r

Masa naik

117

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

446

n

t f

Waktu kejatuhan

290

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

165

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

94.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF = 800A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF = 800A,V GE =0V,T j =125o C

2.15

IF = 800A,V GE =0V,T j =150o C

2.20

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =25o C

48.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

264

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

18.0

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =125o C

95.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

291

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

35.3

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F = 800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, LS =40nH ,T j =150o C

107

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

293

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.5

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.029 0.050

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028 0.049 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g