GD750HFA120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

750

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1500

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

3125

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

900

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1500

A

IFSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C

3104

2472

A

I2t

I2t- nilai ,t p =10ms @ T vj =25o C@ T vj =150o C

48174

30554

A2s

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=750A,V GE =15V, T vj =25o C

1.35

1.85

V

IC=750A,V GE =15V, T vj =125o C

1.55

IC=750A,V GE =15V, T vj =175o C

1.55

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

0.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

85.2

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.45

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

6.15

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=750A,

R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =25o C

238

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

622

n

t f

Waktu kejatuhan

74

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

68.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

52.8

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =125o C

266

n

t r

Masa naik

89

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

685

n

t f

Waktu kejatuhan

139

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

88.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

67.4

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=750A, R G=0.5Ω,

V GE =-8V/+15V,

LS =40nH ,T vj =175o C

280

n

t r

Masa naik

95

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

715

n

t f

Waktu kejatuhan

166

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

102

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

72.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤8μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2500

A

t P≤ 6μs, V GE =15V,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

IF =750A,V GE =0V,T vj =25o C

1.60

2.05

V

IF =750A,V GE =0V,T vj =125o C

1.65

IF =750A,V GE =0V,T vj =175o C

1.65

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =25o C

79.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

369

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

23.3

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =125o C

120

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

400

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

39.5

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =750A,

-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, LS =40nH ,T vj =175o C

151

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

423

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

49.7

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Modul, Terminal Ke Cip

0.80

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.048 0.088

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.028 0.051 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g