Pengenalan ringkas
Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 800A.
Ciri-ciri
- Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
-
Suhu persimpangan maksimum 175 ℃
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Pembolehubah Tipikal
- Kenderaan hibrid dan elektrik
- Inverter untuk pemacu motor
- Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan
Absolut Maksimum Penilaian T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =100o C |
750 |
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
1500 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C |
3125 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Voltaj Balik Puncak Berulang umur |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda berterusan ke hadapan Cu rental |
900 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
1500 |
A |
Saya FSM |
Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
3104
2472
|
A |
Saya 2t |
Saya 2t- nilai ,t p =10ms @ T vj =25o C @ T vj =150o C |
48174
30554
|
A 2s |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T vjmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T vjop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Julat Suhu Penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh
|
Saya C =750A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.35 |
1.85 |
V
|
Saya C =750A,V GE =15V, T vj =125o C |
|
1.55 |
|
Saya C =750A,V GE =15V, T vj =175o C |
|
1.55 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Dalaman Gate |
|
|
0.5 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
85.2 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik Kapasitans |
|
0.45 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =-15…+15V |
|
6.15 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =750A,
R G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
238 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
76 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
622 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
74 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
68.0 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
52.8 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
266 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
89 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
685 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
139 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
88.9 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
67.4 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =750A, R G =0.5Ω,
V GE =-8V/+15V,
L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
280 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
95 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
715 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
166 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
102 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
72.7 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤8μs, V GE =15V,
T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2500
|
|
A
|
|
t P ≤ 6μs, V GE =15V,
T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Voltan |
Saya F =750A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Saya F =750A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.65 |
|
Saya F =750A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.65 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =25o C
|
|
79.7 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
369 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
23.3 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =125o C
|
|
120 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
400 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
39.5 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =750A,
-di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L S =40nH ,T vj =175o C
|
|
151 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
423 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
49.7 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Pengecualian bagi R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa
Perosakan
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
20 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Rintangan Modul, Terminal Ke Cip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R thJC |
Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode) |
|
|
0.048 0.088 |
K/W |
|
R thCH
|
Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT )Case-to-Heatsink (p er Diode) Case-to-Heatsink (per Modul) |
|
0.028 0.051 0.009 |
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
350 |
|
g |
EN
