GD600SGU120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=70o C

857

600

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1200

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150o C

4310

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

600

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1200

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=600A,V GE =15V, T vj =25o C

3.00

3.45

V

IC=600A,V GE =15V, T vj =125o C

3.80

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=12mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.8

5.8

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.31

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

43.6

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

2.72

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15V…+15V

8.32

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE =±15V, Ls =50nH ,T vj =25o C

317

n

t r

Masa naik

76

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

548

n

t f

Waktu kejatuhan

55

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

20.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

34.2

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=600A, R G=1.5Ω, V GE =±15V, Ls =50nH ,T vj =125o C

325

n

t r

Masa naik

79

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

595

n

t f

Waktu kejatuhan

59

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

27.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

38.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

3000

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE =-15V, Ls =50nH ,T vj =25o C

58.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

489

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

28.1

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE =-15V, Ls =50nH ,T vj =25o C

100

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

563

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

48.2

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.35

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.029 0.069

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g