GD200HFF120C8S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C

@ T C = 85 o C

294

200

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C

1056

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

Saya C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

1.90

2.35

V

Saya C =200A,V GE =15V, T j = 125o C

2.40

Saya C =200A,V GE =15V, T j =150 o C

2.55

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

100

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.75

ω

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

374

n

t r

Masa naik

50

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

326

n

t f

Waktu kejatuhan

204

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

13.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

10.4

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

419

n

t r

Masa naik

63

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

383

n

t f

Waktu kejatuhan

218

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

20.8

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

419

n

t r

Masa naik

65

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

388

n

t f

Waktu kejatuhan

222

n

E pada

Hidupkan Penukaran

Kerugian

22.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju

Voltan

Saya F =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.90

2.35

V

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T j = 150o C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

10.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

90

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

3.40

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

26.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

132

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

9.75

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

30.4

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

142

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.3

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

26

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.62

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.142

0.202

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.157

0.223

0.046

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat bagi Modul

200

g