GD1200HFX170C3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

2400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =175o C

6.55

kw

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

1200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

2400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=1200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.6

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

142

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

3.57

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =25o C

700

n

t r

Masa naik

420

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1620

n

t f

Waktu kejatuhan

231

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

616

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

419

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =125o C

869

n

t r

Masa naik

495

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

1976

n

t f

Waktu kejatuhan

298

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

898

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

530

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=1200A, R Gon = 1.5Ω, R Goff =3.3Ω, V GE =-10/+15V,

LS =110nH,T vj =150o C

941

n

t r

Masa naik

508

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

2128

n

t f

Waktu kejatuhan

321

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

981

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

557

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

490

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

108

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

550

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

165

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, LS =110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

570

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

200

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.37

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Kes-ke-pemanas (per M odul)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Tork Sambungan Terminal, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1500

g