GD275MJS120L6S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

ICN

Pelaksanaan Penjimat C berterusan

275

A

IC

Arus Pengumpul @ T C=100o C

110

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

450

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IFN

Pelaksanaan Arus Depan ent

275

A

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

450

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IFN

Pelaksanaan Arus Depan ent

275

A

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

225

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

450

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IFN

Pelaksanaan Arus Depan ent

275

A

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

300

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

450

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

3200

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.90

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=9.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

1.7

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

38.1

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.66

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

2.52

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

n

t r

Masa naik

45

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

340

n

t f

Waktu kejatuhan

76

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

13.4

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

8.08

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

n

t r

Masa naik

49

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

388

n

t f

Waktu kejatuhan

112

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

17.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

11.2

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

n

t r

Masa naik

51

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

397

n

t f

Waktu kejatuhan

114

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

18.7

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

12.0

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =25o C

20.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

250

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.84

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =125o C

32.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

277

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.5

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE =-8V LS =36nH ,T j =150o C

39.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

288

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

14.0

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =300A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =300A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =25o C

18.6

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

189

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

5.62

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =125o C

34.1

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

250

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.4

mJ

S r

Dipulihkan Cas

V R =600V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE =-8V LS =30nH ,T j =150o C

38.9

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

265

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

13.2

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Disipasi kuasa

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

15

nH

R thJC

Sambungan-ke-Kes (mengikut T1 -T4 IGBT) Sambungan-ke-Kes (mengikut D1/D4 D iode) Sambungan-ke-Kes (mengikut D2/D3 D iode) Sambungan-ke-Kes (mengikut D5/D6 D iode)

0.070 0.122 0.156 0.122

K/W

R thCH

Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut T 1-T4 IGBT) Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D1/D4 Diode) Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D2/D3 Diode) Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D5/D6 Diode)

0.043 0.053 0.069 0.053

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

250

g