GD200TLQ120L3S,Modul IGBT,3-tahap,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

339

200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

1456

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

75

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p = 1ms

150

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

650

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=95o C

158

100

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p = 1ms

200

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

441

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

650

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

100

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p = 1ms

200

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.65

IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

3.8

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.58

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

1.56

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

142

n

t r

Masa naik

25

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

352

n

t f

Waktu kejatuhan

33

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.21

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

3.90

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

155

n

t r

Masa naik

29

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

440

n

t f

Waktu kejatuhan

61

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.02

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

5.83

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

n

t r

Masa naik

30

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

462

n

t f

Waktu kejatuhan

66

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.24

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

6.49

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF = 75A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF = 75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF = 75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

8.7

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

122

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

2.91

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

143

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

5.72

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

152

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.30

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC= 100A,V GE = 15V, T j =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC= 100A,V GE = 15V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC= 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

2.0

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.23

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

0.69

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j =25o C

44

n

t r

Masa naik

20

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

200

n

t f

Waktu kejatuhan

28

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

1.48

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

2.48

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

48

n

t r

Masa naik

24

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

216

n

t f

Waktu kejatuhan

40

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.24

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

3.28

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =400V,I C= 100A, R G=3.3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

52

n

t r

Masa naik

24

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

224

n

t f

Waktu kejatuhan

48

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

2.64

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

3.68

mJ

ISC

Data SC

t P≤6μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =360V, V CEM ≤650V

500

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF = 100A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

IF = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

3.57

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

99

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

1.04

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

110

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

1.70

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

110

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

1.81

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

δR/R

Pengecualian dari R 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Gabungan-ke-Bungkus (setiap T1, T4 IGBT)

Sambungan-ke-Kes (setiap D1,D4 Dio de)

Sambungan-ke-Kes (setiap T2, T3 IGBT)

Sambungan-ke-Kes (mengikut D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per T1,T4 IGBT)

Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D1,D4 Diode)

Case-to-Heatsink (per T2,T3 IGBT)

Kes-ke-Penyerap Haba (mengikut D2,D3 Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Daya Pemasangan Per Cangkuk

40

80

N

G

Berat dari Modul

39

g