Pengenalan ringkas
Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER. 1200V 200A.
Ciri-ciri
- Teknologi NPT IGBT
- keupayaan litar pintas 10μs
- Kerugian pertukaran rendah
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Pembolehubah Tipikal
- Bekalan kuasa mod suis
- Pemanasan induktif
- Pengimpal elektronik
Absolut Maksimum Penilaian T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C
@ T C =65o C
|
262
200
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
400 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150o C |
1315 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Tegangan Terbalik Puncak Berulang |
1200 |
V |
Saya F |
Arus Maju Berterusan Diod =0V, |
200 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
400 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
150 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +125 |
o C |
T STG |
Suhu penyimpanan Julat |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter
Voltan Jenuh
|
Saya C =200A,V GE =15V, T j =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
Saya C =200A,V GE =15V, T j =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
4.4 |
5.3 |
6.0 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan
Semasa
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Gerbang Dalaman ance |
|
|
1.3 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
13.0 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik
Kapasitans
|
|
0.85 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =- 15...+15V |
|
2.10 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25o C
|
|
87 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
40 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
451 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
63 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
6.8 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
11.9 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
88 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
44 |
|
n |
t d (dimatikan ) |
Matikan Masa Lembapan |
|
483 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
78 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran
Kerugian
|
|
11.4 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis
Kerugian
|
|
13.5 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs,V GE =15V,
T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V
|
|
1300
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
V F |
Dioda Maju
Voltan
|
Saya F =200A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
Saya F =200A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.00 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C
|
|
13.3 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
236 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
6.6 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V R =600V,I F =200A,
-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C
|
|
23.0 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
269 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
10.5 |
|
mJ |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R thJC |
Junction-to-Case (per IGB T)
Junction-to-Case (per D iode)
|
|
|
0.095
0.202
|
K/W |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT)
Case-to-Heatsink (p er Diode)
Case-to-Heatsink (per Modul)
|
|
0.135
0.288
0.046
|
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
200 |
|
g |
EN
