GD200HFU120C2S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

400

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T =150o C

1315

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

200

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

400

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=200A,V GE =15V, T j =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A,V GE =15V, T j =125o C

3.80

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

4.5

5.4

6.5

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.3

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

13.0

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

0.85

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

2.10

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, T j =25o C

87

n

t r

Masa naik

40

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

451

n

t f

Waktu kejatuhan

63

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

6.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

11.9

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=200A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

n

t r

Masa naik

44

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

483

n

t f

Waktu kejatuhan

78

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

11.4

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

13.5

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

1300

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A,V GE =0V,T j =125o C

2.00

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

13.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

236

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.6

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

23.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

269

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

10.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

30

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.095

0.202

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrin M5 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g