H38KFM, Thyristor Pemutus Cepat Tidak Simetri

Simbol

Ciri-ciri

Keadaan Ujian

Tj(°C )

Nilai

Unit

Min

TAIP

Max

IT ((AV)

Purata semasa keadaan

180° gelombang separuh sinus 50Hz Dingin sisi berganda,

TC=55°C

125

350

A

VDRM

Voltan puncak berulang dalam keadaan mati

tp=10ms

125

4000

4500

V

VRRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

125

1000

3000

V

Idrm Irrm

Arus puncak berulang

di VDRM di VRRM

125

60

mA

ITSM

Tambah semasa semasa

10ms gelombang separuh sinus VR=0.6VRRM

125

5.0

kA

I2t

I2t untuk penyelarasan pencairan

125

A2s*103

VTO

Voltan Ambang

125

1.48

V

rt

Rintangan cerun pada keadaan aktif

2.00

mΩ

VTM

Voltan puncak semasa keadaan

ITM=1000A, F=15kN

50≤tq≤60

25

3.60

V

61≤tq≤120

2.80

V

dv/dt

Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kadar kritikal peningkatan arus semasa

VDM= 67%VDRM kepada 1000A,

Denyutan gerbang tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1200

A/μs

Qrr

Bayaran pemulihan

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-5A/µs, VR=100V

125

350

μC

tq

Masa penutupan litar yang disambung

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-5A/µs

125

50

120

μs

IGT

Pasukan pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

40

250

mA

Vgt

Voltan pemicu pintu

0.9

2.5

V

IH

Aktifkan arus

20

400

mA

IL

Arus penguncian

500

mA

VGD

Voltan pintu bukan pencetus

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Rintangan terma Junction ke kes

Pada 1800 sine, penyejukan dua sisi Daya cengkaman 15kN

0.035

。C /W

Rth(c-h)

Rintangan terma kes kepada sink haba

0.008

FM

Kekuatan Pemasangan

10

20

kN

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu simpanan

-40

140

℃

Wt

Berat

250

g

Gambaran Ringkas

KT33cT