Pengenalan ringkas
Thyristor/Diode Modul e, MTx800 MFx800 MT800 ，800A ,Penyejukan Air ，dihasilkan oleh TECHSEM .
Pengenalan ringkas
Thyristor/Diode Modul e, MTx 800 MFx 800 MT 800，800A ,Penyejukan Air ，dihasilkan oleh TECHSEM .
VRRM,VDRM |
Jenis & Garis Besar |
600V |
MT3 perisian |
MFx800-06-411F3 |
800V |
MTx800-08-411F3 |
MFx800-08-411F3 |
1000V |
MTx800-10-411F3 |
MFx800-10-411F3 |
1200V |
MTx800-12-411F3 |
MFx800-12-411F3 |
1400V |
MTx800-14-411F3 |
MFx800-14-411F3 |
1600V |
MTx800-16-411F3 |
MFx800-16-411F3 |
1800V |
MTx800-18-411F3 |
MFx800-18-411F3 |
1800V |
MT800-18-411F3G |
|
MTx bermaksud semua jenis MTC, MTA , MTK
MFx bermaksud semua jenis MFC, MFA, MFK
Ciri-ciri
- Pangkalan pemasangan terasing 3000V~
- Teknologi hubungan tekanan dengan
- Keupayaan kitaran kuasa yang meningkat
- Penjimatan ruang dan berat
Pembolehubah Tipikal
- Penggerak motor AC/DC
- Pelbagai penyearah
- Bekalan DC untuk PWM inverte
|
Simbol
|
Ciri-ciri
|
Keadaan Ujian
|
Tj( ℃) |
Nilai |
Unit
|
Min |
TAIP |
Max |
IT ((AV) |
Purata semasa keadaan |
180°separuh gelombang sinus 50Hz
Satu sisi sejuk, THS=55 ℃
|
125
|
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
Arus keadaan RMS |
|
|
1256 |
A |
Idrm Irrm |
Arus puncak berulang |
di VDRM di VRRM |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
Tambah semasa semasa |
VR=60%VRRM, t= 10ms separuh sinus |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
I2t |
I2t untuk penyelarasan pencairan |
125 |
|
|
2420 |
103A 2s |
VTO |
Voltan Ambang |
|
125
|
|
|
0.90 |
V |
rt |
Rintangan cerun pada keadaan aktif |
|
|
0.35 |
mΩ |
VTM |
Voltan puncak semasa keadaan |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
Kadar kritikal peningkatan voltan dalam keadaan mati |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kadar kritikal peningkatan arus semasa |
Sumber gerbang 1.5A
tr ≤0.5μs Berulang
|
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
Pasukan pemicu gerbang |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
Voltan pemicu pintu |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Aktifkan arus |
10 |
|
200 |
mA |
IL |
Arus penguncian |
|
|
1000 |
mA |
VGD |
Voltan pintu bukan pencetus |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
Rintangan terma Junction ke kes |
Dingin sebelah tunggal setiap cip |
|
|
|
0.050 |
℃/W |
Rth(c-h) |
Rintangan terma kes ke heatsink |
Dingin sebelah tunggal setiap cip |
|
|
|
0.024 |
℃/W |
VISO |
Voltan pengasingan |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Tombok sambungan terminal ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
Tombor pemasangan ((M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
TVj |
Suhu persimpangan |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
TSTG |
Suhu simpanan |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Berat |
|
|
|
3230 |
|
g |
Gambaran Ringkas |
411F3 |
EN
