GD100PIX120C6SNA,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

155

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C

511

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

200

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1600

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

100

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C

1150

880

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

6600

3850

A 2s

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

87

50

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

100

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C

308

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

25

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

50

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter,pembrem) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =100A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =100A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

7.5

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.78

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, R G = 1.6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

218

n

t r

Masa naik

35

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

287

n

t f

Waktu kejatuhan

212

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

9.23

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

6.85

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, R G = 1.6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

242

n

t r

Masa naik

41

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

352

n

t f

Waktu kejatuhan

323

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

13.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

9.95

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, R G = 1.6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

248

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

365

n

t f

Waktu kejatuhan

333

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

14.9

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

10.5

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

5.89

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

103

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

3.85

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

13.7

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

109

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

6.64

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

15.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

109

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

7.39

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =100A, T j =150 o C

0.95

V

Saya R

Arus terbalik

T j =150 o C,V R =1600V

2.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =50A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

Saya C =50A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

Saya C =50A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =2.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

0

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

5.18

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.15

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.39

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

171

n

t r

Masa naik

32

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

340

n

t f

Waktu kejatuhan

82

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

6.10

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.88

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

182

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

443

n

t f

Waktu kejatuhan

155

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.24

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.43

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =50A, R G =15Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

182

n

t r

Masa naik

43

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

464

n

t f

Waktu kejatuhan

175

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.99

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

4.94

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =25A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

Saya F =25A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

Saya F =25A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

2.9

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

55

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

0.93

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

5.1

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

58

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

1.72

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

5.6

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

60

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

2.01

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’

Rintangan Pemimpin Modul nce,Penghujung ke Cip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter )

Sambungan-ke-Kes (setiap Dioda-invert er)

Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -brake -chopper ) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-brake-chop setiap)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-dalam verter)

Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier)

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -brake -chopper )Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-penyakelar- chopper) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g