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역방향 차단 통합 게이트-환류 티라이스터(RB-IGCT) 모듈 RB-IGCT 모듈은 차세대 고전압 전력 변환 시스템을 위해 설계된 고성능 고전력 반도체 소자이다. 내장된 역방향 전압 차단 기능을 갖추고 있어, 엄격한 에너지 변환 응용 분야에서 뛰어난 전기적 성능, 높은 신뢰성 및 우수한 효율을 제공한다.
검증된 IGCT 기술과 첨단 프레스팩 패키징 을 기반으로 한 RB-IGCT 모듈은 티라이스터 소자의 장점—초저감 전도 손실 및 고전류 용량—을 게이트 제어 방식의 빠르고 효율적인 턴오프 성능과 결합한다. 견고한 프레스팩 구조는 탁월한 열 성능, 기계적 강도 및 극심한 전기적·열적 스트레스 하에서도 신뢰성 있는 작동을 가능하게 한다.
통합 역방향 차단 기능을 통해 RB-IGCT 모듈은 추가적인 역전압 보호 부품이 필요 없어 시스템 설계를 단순화하고, 전력 밀도와 전체 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.
통합 역전압 차단 기능 간소화된 시스템 설계를 위해;
고전압 및 고전류 능력 대규모 전력 변환 응용 분야를 위해;
초저 전도 손실 향상된 에너지 효율성을 위해;
신속한 차단 능력 탁월한 스위칭 성능과 함께;
고급 프레스팩 패키지 설계 양면 냉각 기능을 갖춘;
전기적, 열적, 기계적 스트레스 조건에서 높은 신뢰성 .
고압 직류 송전(HVDC);
유연한 교류 송전 시스템(FACTS);
중압 및 고압 컨버터;
철도 견인 전력 시스템;
대규모 산업용 전원 공급 장치;
재생 에너지 및 계통 연계 전력 변환 시스템;
에너지 저장 및 고출력 변환 응용 분야.
RB-IGCT 모듈은 고전압·고출력 전자 시스템을 위한 높은 신뢰성과 효율성을 갖춘 반도체 솔루션을 제공하여, 시스템 효율 향상, 소형화 설계, 장기 운영 안정성을 실현한다.
YT-ASC40L6500IC
키 파라미터
V DRM |
6500 |
V |
이 TGQM |
4000 |
A |
이 TSM |
26 |
kA |
V 에 |
1.88 |
V |
r T |
0.56 |
mQ |
V DClink |
4000 |
V |
기계적 데이터
상징 |
파라미터 |
조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
V DRM |
정전 전압의 최고 평행 |
T Vj =125°C, I D ≤I DRM, t p =10ms |
- |
- |
4500 |
V |
이 DRM |
주파수 중 최고 정전 전류 |
T Vj =125°C, V D =V DRM, t p =10ms |
- |
- |
50 |
mA |
d v /dt |
안도 전압의 급격한 상승률 |
T Vj =125°C, V D =0.67V DRM |
- |
- |
1000 |
V/μs |
V DClin K |
중간 DC 전압 |
GCT의 100 FIT 실패율에 대한 영구 동전압 |
- |
- |
4000 |
V |
V RRM |
역전압 |
\ |
- |
- |
17 |
V |
국가별 자료
상징 |
파라미터 |
조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
이 DC |
맥스 RMS 정전 전류 |
T C = 85 ℃, DC, 이중 냉각 |
- |
- |
2000 |
A |
|
이 TSM 이 2t |
최대. 최고 반복되지 않는 파동 상태 전류 제한 부하 통합 |
T Vj = 125 ℃, 죄 cE 반파 10초 V D =V R =0 |
- - |
- - |
26 338 |
KA 104A 2 s |
V TM |
정전압 |
T Vj = 125℃, I T =41000A |
- |
3.75 |
4.11 |
V |
|
V 에 r T |
임계 전압 기울기 저항 |
T Vj = 125℃, I T = 1000... 41000A |
- |
- |
1.88 0.55 |
V m ω |
팅 데이터
상징 |
매개변수 이름 |
시험 조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
di T /dt |
정전 전류의 급격한 증가율 |
TVJ = 125 ℃, IT = 4000A, VD = 2800V, f=0..500Hz |
- |
- |
5000 |
A/ μ s |
t 돈 |
턴온 지연 시간 |
T Vj = 125 ℃, 나 T = 5000A, V D = 4000V, di /dt = V D /L이 , CL =20μF, L 이 = 3μH, L CL = 0.3μH |
- |
- |
3 |
μ s |
t donSF |
팅 지연 시간 상태 피드백 |
- |
- |
7 |
μ s |
|
t r |
상승 시간 (애노드 전압의 하락 시간) |
- |
- |
1 |
μ s |
|
E 에 대해 |
펄스당 켜기 에너지 |
- |
- |
3.3 |
J |
차단 데이터
상징 |
파라미터 |
조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
이 TGQM |
최대 제어 가능한 프 전류 |
T Vj = 125℃, V Dm ≤ V DRM , V D =4000V, L CL = 0.3μH, C CL = 20μF, R S = 0. 4ω ,f=0..300Hz D FWD = D CL = FY B 1100-60 |
- |
- |
4000 |
A |
t doff |
차단 지연 시간 |
T Vj = 125℃, 이 TGQ = 4000A, V D =4000V, V Dm ≤ V DRM , C CL = 20μF, R S = 0.4 오, L 이 =3μH, L CL = 0.3μH D FWD = D CL = FYB 1100-60 |
- |
- |
8 |
μ s |
t doffSF |
팅 지연 시간 상태 피드백 |
- |
- |
7 |
μ s |
|
t f |
하강 시간 |
- |
- |
1 |
μ s |
|
E 끄다 |
펄스 당 너지 |
- |
442.5 |
46.3 |
J |
열 데이터
상징 |
매개변수 이름 |
시험 조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
|
T Vj T STG |
접합 작동 온도 보관 온도 범위 |
/ |
0 -40 |
- |
125 60 |
℃ ℃ |
|
R thJC R thCH |
열 저항, 케이스에 맞게 연결 열 저항, 케이스-열기 싱크장 |
이중 냉각 |
- - |
- - |
8.5 3 |
K/kW K/kW |
게이트 유닛
상징 |
매개변수 이름 |
시험 조건 |
M 안에 |
일반적인 |
M 축 |
|
V GIN RMS |
게이트 유닛 전압 |
DC 전압 또는 AC 제곱파 진폭 (15kHz - 100kHz) 전력 회로에 갈바닉 단열이 없습니다. |
28 |
- |
40 |
V |
P GIN 최대 |
맥스 게이트 단위 전력 소비 |
/ |
- |
- |
130 |
W |
이 진민 |
- 아니, 아니 전류가 필요하고 게이트 유닛 |
- 아니, 아니 전류가 필요하고 게이트 단위를 전원 |
2 |
- |
- |
A |
이 GIN MAX |
내부 전류 제한 |
정정 평균 전류는 게이트 유닛 |
- |
- |
8 |
A |
광 제어 입력/출력
|
t on(min) t off(min) |
시간 시간 단속 |
/ |
40 40 |
- - |
- - |
μ s μ s |
|
P cS에 관한 P O ff CS P sF에 대해 P 끄다 SF |
CS O ptical 입력 전력 CS O 시광소음력 SF O ptical 출력 전력 SF O 시광소음력 |
1mm 플라스틱 광섬유에 유효합니다 (POF) |
-15 - -19 - |
- - - - |
-1 -45 -1 -50 |
dBm dBm dBm dBm |
|
t 글리치 t 재트리그 |
펄스 너비 문 외부 재발동 펄스 너비 |
응답 없이 최대 펄스 너비 / |
- 700 |
- - |
400 1100 |
nS nS |
CS |
명령 신호 수신기 |
Agilent ,유형: HFBR-2521 |
||||
SF |
상태 피드백을 위한 송신기 |
Agilent ,유형: HFBR-1521 |
||||
시각적 피드백
LED1 (녹색의 ) |
전원 공급은 괜찮아요 |
전원 공급 장치가 지정 범위 내에서 있으면 켜집니다. |
LED 2(녹색의 ) |
게이트 |
GCT가 꺼지면 켜지세요 |
LED 3(Yellow ) |
게이트 가동 |
게이트 전류가 흐르면 켜져 |
LED 4(빨간색 ) |
F ault |
게이트 드라이브 콘덴서 전압 아래, 또는 게이트 드라이브 전압이있을 때 켜 cS와 일치하지 않거나 GCT가 단회로 |
LED 5(Yellow ) |
TBD |
TBD |
LED 6(빨간색 ) |
TBD |
TBD |

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