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IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

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GD450HFL120B3S,IGBTモジュール,1200V 450A,スタートパワー

IGBTモジュール,1200V 450A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD450HFL120B3S
  • はじめに
  • 概要
はじめに

特徴

  • 低VCE(衛星) 単調な+IGBT テクノロジー
  •  切り替え損失
  • 10μs 短回路能力関連性
  • 低誘導性 場合
  • vCE(衛星) 持ってる ポジティブ 温度 係数
  • 速くて柔らかい逆回復 逆平行FWD
  • DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な 申請

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング TC=25°C しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

説明

GD450HFL120B3S

ユニット

vCES

集合器-放出器の電圧

1200

v

v総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

v

わかったC

コレクタ電流 @TC=25°C

@ TC= 100°C

715

450

A について

わかったcm

パルスコレクター電流 tP=1Ms

900

A について

わかったF

ダイオード 連続前向き賃貸

450

A について

わかったFm

ダイオード最大順方向電流 tP=1ms

900

A について

PD

最大電源 消耗 @ Tj=175°C

2679

W について

Tjmax

交差点最大温度

175

°C

Tショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

TSTG

保管温度航続距離

-40から+125

°C

vISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1ほんの少し

2500

v

マウント 扭力

電力端末スクリュー:M5

固定螺栓:M6

2.5から 5.0

平均的な 5.0

N.M<br>

 

電気 特徴  IGBT TC=25°C しない限り 違うなら 記載

特徴から外れている

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v(BR)CES

収集-発信

突入電圧

Tj=25°C

1200

 

 

v

わかったCES

収集家 カット-オフ

現在

vCE=vCES,v遺伝子組み換え=0VTj=25°C

 

 

5.0

mA

わかった総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

v遺伝子組み換え=v総エネルギー,vCE=0V Tj=25°C

 

 

400

NA

特徴について

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

v遺伝子組み換え(TH)

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかったC=18.0mA,vCE=v遺伝子組み換え, Tj=25°C

5.0

5.8

7.0

v

 

v衛星

 

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかったC=450A,V遺伝子組み換え=15V Tj=25°C

 

2.00

2.45

 

v

わかったC=450A,V遺伝子組み換え=15V Tj=125 について°C

 

2.20

 

変形する特性

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=450A  rg=2.2Ω

v遺伝子組み換え=±15V Tj=25°C

 

220

 

NS

Tr

昇る時間

 

68

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

475

 

NS

TF

秋の時間

 

55

 

NS

eon

オン スイッチング

損失

 

48.0

 

mJ

eオフ

切断する

損失

 

28.2

 

mJ

TD(on)

オンする遅延時間

 

 

v定電流=600V,IC=450A  rg=2.2Ω

v遺伝子組み換え=±15V Tj=125 について°C

 

250

 

NS

Tr

昇る時間

 

72

 

NS

TD(オフ)

切断する 遅延時間

 

530

 

NS

TF

秋の時間

 

80

 

NS

eon

オン スイッチング

損失

 

66.0

 

mJ

eオフ

切断する

損失

 

45.0

 

mJ

Cies

入力容量

vCE電気回路が1Mhzで

v遺伝子組み換え=0V

 

31.8

 

ロープ

Cオーエス

輸出容量

 

2.13

 

ロープ

Cres

逆転移転

容量

 

1.41

 

ロープ

 

わかったSC

 

SC データ

TP≤10μs,V遺伝子組み換え=15 V,

Tj=125 について°Cv定電流=900V v単数≤1200V

 

 

1950

 

 

A について

Qg

ゲートチャージ

v定電流=600V,IC=450A v遺伝子組み換え=-15 +15V

 

4.59

 

微分

rゲント

内部ゲート抵抗アンス

 

 

0.7

 

Ω

LCE

流れる誘導力

 

 

 

20

nH

 

rCC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

 

 

 

0.35

 

 

 

 

電気 特徴  ダイオード TC=25°C しない限り 違うなら 記載

 

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

vF

ダイオード 前向き

圧力は

わかったF=450A

v遺伝子組み換え=0V

Tj=25°C

 

1.72

2.12

v

Tj=125 について°C

 

1.73

 

Qr

回復した

充電

わかったF=450A

vr=600V

rg=2.2Ω

v遺伝子組み換え=15V

Tj=25°C

 

36.2

 

微分

Tj=125 について°C

 

78.1

 

わかったロープ

ピーク逆

回復電流

Tj=25°C

 

234

 

A について

Tj=125 について°C

 

314

 

eレス

逆転回復エネルギー

Tj=25°C

 

19.1

 

mJ

Tj=125 について°C

 

36.3

 

熱特性ics

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

rθJC さん

ケース対ケース (IGBごとに)T) について

 

0.056

総量

rθJC さん

交差点 (Dあたり)ヨード)

 

0.107

総量

rθCS

ケースからシンク (電導性油脂の適用)嘘)

0.035

 

総量

重量

重量     モジュール

300

 

g

概要

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