GD900HFA120C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =90 o C

900

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

3409

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

わかった FSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 について o C

4100

3000

A

わかった 2t

わかった 2t値,t p =10ms @ T j =25 o C

@ T j =150 について o C

84000

45000

A 2s

シンボル

説明

価値

ユニット

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.40

1.85

V

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

1.60

わかった C =900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175 o C

1.65

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.5

6.3

7.0

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

51.5

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.36

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

13.6

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25 o C

330

nS

t r

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

842

nS

t f

秋の時間

84

nS

E on

オン スイッチング

損失

144

mJ

E オフ

切断する

損失

87.8

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =125 について o C

373

nS

t r

昇る時間

155

nS

t 消して

切断する 遅延時間

915

nS

t f

秋の時間

135

nS

E on

オン スイッチング

損失

186

mJ

E オフ

切断する

損失

104

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =900A, R G =0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =175 o C

390

nS

t r

昇る時間

172

nS

t 消して

切断する 遅延時間

950

nS

t f

秋の時間

162

nS

E on

オン スイッチング

損失

209

mJ

E オフ

切断する

損失

114

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤8μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =175 o C,V CC =800V V 単数 ≤ 1200V

3000

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 25o C

1.65

わかった F =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =1 75o C

1.55

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,T j =25 o C

91.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

441

A

E レス

逆転回復 エネルギー

26.3

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,T j =125 について o C

141

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

493

A

E レス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, L S =40 nH ,T j =175 o C

174

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

536

A

E レス

逆転回復 エネルギー

52.4

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の R 100

T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044

0.076

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028

0.049

0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g