GD900HFA120C6S、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=90o C

900

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

3409

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

IFSM

サージ前方電流 t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t値,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.60

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =175o C

1.65

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

51.5

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.36

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

13.6

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =25o C

330

nS

t バー

昇る時間

140

nS

t 消して

切断する 遅延時間

842

nS

t f

秋の時間

84

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

144

mJ

Eオフ

切断する

損失

87.8

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =125o C

373

nS

t バー

昇る時間

155

nS

t 消して

切断する 遅延時間

915

nS

t f

秋の時間

135

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

186

mJ

Eオフ

切断する

損失

104

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=0.51Ω, L S =40nH, V 遺伝子組み換え =-8V/+15V,

T j =175o C

390

nS

t バー

昇る時間

172

nS

t 消して

切断する 遅延時間

950

nS

t f

秋の時間

162

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

209

mJ

Eオフ

切断する

損失

114

mJ

ISC

SC データ

t P≤8μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

3200

A

t P≤6μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =175o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

3000

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =175o C

1.55

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

441

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

26.3

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

493

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

42.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V 遺伝子組み換え =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

536

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

52.4

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2—

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.80

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044

0.076

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンク (pe) ダイオード)

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.028

0.049

0.009

総量

M

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g