GD2400SGT120C4S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

GD2400SGT120C4S

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

3800

2400

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1 ms

4800

A について

わかった F

ダイオード 連続前向き 賃貸

2400

A について

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

4800

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =1 75°C

12.9

kW

T jmax

交差点最大温度

175

°C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

°C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

°C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 ほんの少し

3400

V

マウント 扭力

信号端回し螺栓:M4

平均 2.1

電力端末スクリュー:M8

平均値 10

N.M<br>

固定螺栓:M6

4.25 から 5.75

重量

重さ モジュール

2300

g

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V (BR )CES

収集-発信

突入電圧

T j =25 °C

1200

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 °C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 °C

400

nA

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =96 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 °C

1.70

2.15

V

わかった C =2400A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について °C

2.00

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =2400A, R ゲン = 1.2Ω,

R ゲッフ =0.3Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 °C

600

nS

t r

昇る時間

215

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

810

nS

t f

秋の時間

145

nS

E on

オン スイッチング

損失

/

mJ

E オフ

切断する

損失

/

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =2400A, R ゲン = 1.2Ω,

R ゲッフ =0.3Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125°C

695

nS

t r

昇る時間

235

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

970

nS

t f

秋の時間

182

nS

E on

オン スイッチング

損失

488

mJ

E オフ

切断する

損失

382

mJ

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

173

ロープ

C オーエス

輸出容量

9.05

ロープ

C res

逆転移転

容量

7.85

ロープ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V,

T j =125 について °C V CC =900V V 単数 ≤1200V

9600

A について

Q G

ゲートチャージ

V CC =600V,I C =2400A, V 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

23.0

微分

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.42

ω

L CE

流れる誘導力

10

nH

R CC+EE

模板リード

抵抗力

ターミナルからチップへ

0.12

mΩ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =2400A

V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 °C

1.65

2.05

V

T j =125 について °C

1.65

Q r

回復した

充電

わかった F =2400A,

V R =600V

R ゲン =0.3Ω,

V 遺伝子組み換え =15V

T j =25 °C

240

微分

T j =125 について °C

460

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

T j =25 °C

1650

A について

T j =125 について °C

2150

E レス

逆転回復 エネルギー

T j =25 °C

/

mJ

T j =125 について °C

208

シンボル

パラメータ

タイプする

マックス。

ユニット

R θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

11.6

電力量

R θ JC さん

交差点 (Dあたり) ヨード)

19.7

電力量

R θ CS

ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘)

4

電力量