概要
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1200V 1200A。
主な特長
典型的な 用途
絶対値 最大の レーティング T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
説明 |
GD1200SGT120A3S |
ユニット |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
IC |
コレクタ電流 @ T C=25℃ @ T C=80℃ |
2100 1200 |
A |
ICm |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
2400 |
A |
IF |
ダイオード 連続前向き 賃貸 |
1200 |
A |
IFm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
2400 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j =175℃ |
7.61 |
kW |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
℃ |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-40から+125 |
℃ |
V ISO |
絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分 |
2500 |
V |
設置方法 扭力 |
信号端回し螺栓:M4 |
平均 2.1 |
|
電力端末スクリュー:M8 |
平均値 10 |
N.M<br> |
|
固定螺栓:M6 |
4.25 から 5.75 |
|
電気 特徴 の IGBT T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
特徴から外れている
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V (BR )CES |
収集-発信 突入電圧 |
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
ICES |
収集家 切断 —オフ 現在の |
V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
I総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在の |
V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
特徴について
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
V 遺伝子組み換え (th) |
ゲート発信者の限界値 電圧 |
IC=48mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC= 1200A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC= 1200A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125℃ |
|
2.00 |
|
変形する特性
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=1200A バー ゲン =1.8Ω バー ゲッフ =0.62Ω V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25℃ |
|
550 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
230 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
830 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
160 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
/ |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
/ |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C= 1200A バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =0.62Ω V 遺伝子組み換え =±15V,T j =125℃ |
|
650 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
240 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
970 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
190 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
246 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
189 |
|
mJ |
|
Cies |
入力容量 |
V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V |
|
85.5 |
|
ロープ |
Cオーエス |
輸出容量 |
|
4.48 |
|
ロープ |
|
Cres |
逆転移転 容量 |
|
3.87 |
|
ロープ |
|
|
ISC |
SC データ |
t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15 V, T j =125℃, V CC =900V V 単数 ≤1200V |
|
4800 |
|
A |
バー ゲント |
内部ゲート 耐性 |
|
|
1.9 |
|
ω |
LCE |
流れる誘導力 |
|
|
15 |
|
nH |
|
バー CC+EE |
模板リード 抵抗、 ターミナルからチップへ |
|
|
0.10 |
|
mΩ |
電気 特徴 の ダイオード T C=25℃ しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
|
V F |
ダイオード 前向き 電圧 |
IF = 1200A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
||||
Qバー |
回復した 充電 |
IF = 1200A V バー =600V バー ゲン =0.6Ω V 遺伝子組み換え =15V |
T j =25℃ |
|
112 |
|
微分 |
T j =125℃ |
|
224 |
|
||||
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
T j =25℃ |
|
850 |
|
A |
|
T j =125℃ |
|
1070 |
|
||||
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
T j =25℃ |
|
48.0 |
|
mJ |
|
T j =125℃ |
|
96.0 |
|
||||
熱特性 （％）
シンボル |
仕様 |
タイプする |
マックス。 |
ユニット |
バー θ JC さん |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について |
|
19.7 |
電力量 |
バー θ JC さん |
交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
31.3 |
電力量 |
バー θ CS |
ケースからシンク (電導性油脂の適用) 嘘) |
8 |
|
電力量 |
重量 |
重量 モジュール |
1050 |
|
g |
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