IGBTモジュール 1700V

GD650HFX170P1S,IGBTモジュール,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

ストアパワー

Spu:

GD650HFX170P1S

紹介
概要

紹介

簡単な紹介 アクション

IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1700V 650A

特徴

低V CE (衛星 ) 溝 IGBT テクノロジー
10μs 短回路能力関連性
V CE (衛星 ) 持ってるポジティブ温度係数
最大接合温度 175o C
再生用の拡大ダイオード操作
DBC技術を用いた隔離銅基板
高出力および熱サイクル能力イティ

典型的な アプリケーション

高出力コンバータ
風力および太陽光発電
牽引駆動

絶対値 最大 レーティング T C =25 o C しない限り違うなら注記

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1700	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C = 100o C	1073 650	A について
わかった Cm	パルスコレクター電流 t p =1ms	1300	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =175 o C	4.2	kW

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピーク逆電圧	1700	V
わかった F	ダイオード連続前向き賃貸	650	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t p =1ms	1300	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	175	o C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+150	o C
T STG	保管温度航続距離	-40から+150	o C
V ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前	4000	V

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C		1.90	2.35	V
		わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C		2.35
		わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C		2.45
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C			400	nA
R ゲント	内部ゲート抵抗アンス			2.3		ω
C ies	入力容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		72.3		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		1.75		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V		5.66		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 o C		468		nS
t r	昇る時間			86		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			850		nS
t f	秋の時間			363		nS
E on	オンスイッチング損失			226		mJ
E オフ	切断する損失			161		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125o C		480		nS
t r	昇る時間			110		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			1031		nS
t f	秋の時間			600		nS
E on	オンスイッチング損失			338		mJ
E オフ	切断する損失			226		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 150o C		480		nS
t r	昇る時間			120		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			1040		nS
t f	秋の時間			684		nS
E on	オンスイッチング損失			368		mJ
E オフ	切断する損失			242		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V		2600		A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C		1.85	2.30	V
		わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C		1.98
		わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C		2.02
Q r	回収された電荷	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C		176		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			765		A について
E レス	逆転回復エネルギー			87.4		mJ
Q r	回収された電荷	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C		292		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			798		A について
E レス	逆転回復エネルギー			159		mJ
Q r	回収された電荷	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C		341		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			805		A について
E レス	逆転回復エネルギー			192		mJ

NTC 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
R 25	定数抵抗			5.0		kΩ
δR/R	偏差の R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	電力散熱				20.0	mW
B について 25/50	B値	R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から		3375		K
B について 25/80	B値	R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から		3411		K
B について 25/100	B値	R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から		3433		K

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		18		nH
R CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.30		mΩ
R thJC	ケース対ケース (IGBごとに) T) について交差点 (Dあたり) ヨード)			35.8 71.3	電力量
R thCH	ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）ケースからヒートシンクへの（per モジュール)		13.5 26.9 4.5		電力量
M	端末接続トークスクロールM4 端子接続トルク、スクロール M8 固定トークスクロール M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M<br>
G	重量のモジュール		810		g