簡単な紹介 アクション
IGBT モジュール 、STARPOWERによって製造されました。1700V 650A
主な特長
典型的な 用途
絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 注記
IGBT
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1700 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
IC |
コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C= 100o C |
1073 650 |
A |
ICm |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
1300 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j =175o C |
4.2 |
kW |
ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V RRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
1700 |
V |
IF |
ダイオード 連続前向き 賃貸 |
650 |
A |
IFm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
1300 |
A |
モジュール
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
o C |
T ショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
o C |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-40から+150 |
o C |
V ISO |
絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前 |
4000 |
V |
IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC=650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C |
|
1.90 |
2.35 |
V |
IC=650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C |
|
2.35 |
|
|||
IC=650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C |
|
2.45 |
|
|||
V 遺伝子組み換え (th) |
ゲート発信者の限界値 電圧 |
IC=24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
収集家 切断 —オフ 現在の |
V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C |
|
|
5.0 |
mA |
I総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在の |
V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
バー ゲント |
内部ゲート抵抗 アンス |
|
|
2.3 |
|
ω |
Cies |
入力容量 |
V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V |
|
72.3 |
|
ロープ |
Cres |
逆転移転 容量 |
|
1.75 |
|
ロープ |
|
QG |
ゲートチャージ |
V 遺伝子組み換え =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
微分 |
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =900V,I C=650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25o C |
|
468 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
86 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
850 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
363 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
226 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
161 |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =900V,I C=650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125o C |
|
480 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
110 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
1031 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
600 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
338 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
226 |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =900V,I C=650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 150o C |
|
480 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
120 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
1040 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
684 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
368 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
242 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC データ |
t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V |
|
2600 |
|
A |
ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
V F |
ダイオード 前向き 電圧 |
IF =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
|||
IF =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C |
|
2.02 |
|
|||
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C |
|
176 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
765 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
87.4 |
|
mJ |
|
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C |
|
292 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
798 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
159 |
|
mJ |
|
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C |
|
341 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
805 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
192 |
|
mJ |
NTC 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
バー 25 |
定数抵抗 |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
偏差 の バー 100 |
T C= 100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
電力 散熱 |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B値 |
バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B値 |
バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B値 |
バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から |
|
3433 |
|
K |
モジュール 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
LCE |
流れる誘導力 |
|
18 |
|
nH |
バー CC+EE |
モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ |
|
0.30 |
|
mΩ |
バー thJC |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について 交差点 (Dあたり) ヨード) |
|
|
35.8 71.3 |
電力量 |
|
バー thCH |
ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード） ケースからヒートシンクへの（per モジュール) |
|
13.5 26.9 4.5 |
|
電力量 |
|
分 |
端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 スクロール M8 固定トーク スクロール M5 |
1.8 8.0 3.0 |
|
2.1 10.0 6.0 |
N.M<br> |
G |
重量 の モジュール |
|
810 |
|
g |
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