GD650HFX170P1S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.90

2.35

V

わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C

2.35

わかった C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150 について o C

2.45

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =24.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.3

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.75

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V

5.66

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25 o C

468

nS

t r

昇る時間

86

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

850

nS

t f

秋の時間

363

nS

E on

オン スイッチング

損失

226

mJ

E オフ

切断する

損失

161

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125o C

480

nS

t r

昇る時間

110

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

1031

nS

t f

秋の時間

600

nS

E on

オン スイッチング

損失

338

mJ

E オフ

切断する

損失

226

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, R ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 150o C

480

nS

t r

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

1040

nS

t f

秋の時間

684

nS

E on

オン スイッチング

損失

368

mJ

E オフ

切断する

損失

242

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

2600

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.98

わかった F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j =25 o C

176

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

765

A

E レス

逆転回復 エネルギー

87.4

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 125o C

292

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

798

A

E レス

逆転回復 エネルギー

159

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- やってる 15V T j = 150o C

341

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

805

A

E レス

逆転回復 エネルギー

192

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B について 25/50

B値

R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2-

半角形から

3375

K

B について 25/80

B値

R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2-

半角形から

3411

K

B について 25/100

B値

R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2-

半角形から

3433

K