GD650HFX170P1S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.90

2.35

V

こ C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

2.35

こ C =650A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.45

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C =24.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25主 C

5.6

6.2

6.8

V

こ CES

収集家 切断 -オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.3

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.75

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

5.66

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j =25主 C

468

nS

t バー

昇る時間

86

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

850

nS

t f

秋の時間

363

nS

E を

オン スイッチング

損失

226

mJ

E オフ

切断する

損失

161

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 125主 C

480

nS

t バー

昇る時間

110

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

1031

nS

t f

秋の時間

600

nS

E を

オン スイッチング

損失

338

mJ

E オフ

切断する

損失

226

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =650A, バー ゲン = 1.8Ω,R ゲッフ =2.7Ω, V 遺伝子組み換え =±15V,T j = 150主 C

480

nS

t バー

昇る時間

120

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

1040

nS

t f

秋の時間

684

nS

E を

オン スイッチング

損失

368

mJ

E オフ

切断する

損失

242

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150主 C,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

2600

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25主 C

1.85

2.30

V

こ F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125主 C

1.98

こ F =650A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150主 C

2.02

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

176

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

765

A

E レス

逆転回復 エネルギー

87.4

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125主 C

292

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

798

A

E レス

逆転回復 エネルギー

159

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150主 C

341

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

805

A

E レス

逆転回復 エネルギー

192

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C = 100 主 C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2-

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2-

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2-

半角形から

3433

K