Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD450HFL120B3S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 100℃

715

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

900

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

900

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

2679

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montaggio Coppia

Filtro di alimentazione:M5

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

2,5 a 5.0

3,0 a 5.0

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 18,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.0

5.8

7.0

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

2.00

2.45

V

Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.20

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 ℃

220

NS

t r

Tempo di risalita

68

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

475

NS

t F

Tempo di caduta

55

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

48.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

28.2

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 ℃

250

NS

t r

Tempo di risalita

72

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

530

NS

t F

Tempo di caduta

80

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

66.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

45.0

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

31.8

NF

C - Non

Capacità di uscita

2.13

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.41

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1950

A

Q g

Importo della porta

V CC = 600V,I C = 450A, V GE =-15 ﹍+15V

4.59

μC

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.7

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.35

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 450A

V GE =0V

t j = 25 ℃

1.72

2.12

V

t j = 125 ℃

1.73

Q r

Ricostruito

carica

Io F = 450A,

V r = 600V,

r g = 2,2Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

36.2

μC

t j = 125 ℃

78.1

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

234

A

t j = 125 ℃

314

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

19.1

mJ

t j = 125 ℃

36.3

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.056

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.107

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.035

C/W

Peso

Peso Modulo

300

g