GD1200SGT120A3S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

GD1200SGT120A3S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ T C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

2100

1200

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 mS

2400

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

1200

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

2400

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

7.61

kw

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

T STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montaggio Coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

T j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 ℃

400

nA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 48 mA ,V CE = V GE , T j = 25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 1200A,V GE = 15V, T j = 25 ℃

1.70

2.15

V

Io C = 1200A,V GE = 15V, T j = 125 ℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 1200A,

R Gon =1,8Ω, R Goff = 0,62Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 ℃

550

nS

t r

Tempo di risalita

230

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

830

nS

t f

Tempo di caduta

160

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

/

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

/

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 1200A,

R Gon = 1,8Ω,R Goff = 0,62Ω, V GE = ± 15V,T j = 125 ℃

650

nS

t r

Tempo di risalita

240

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

970

nS

t f

Tempo di caduta

190

nS

E oN

Accendere Commutazione Perdita

246

mJ

E oFF

Sconto di accensione Perdita

189

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

85.5

nF

C - Non

Capacità di uscita

4.48

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

3.87

nF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

T j = 125 °C,

V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

4800

A

R Gint

Porta interna

Resistenza

1.9

ω

L CE

Induttanza di deflusso

15

nH

R CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.10

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 1200A

T j = 25 ℃

1.65

2.05

V

T j = 125 ℃

1.65

Q r

Ricostruito

Carica

Io F = 1200A,

V R = 600V,

R Gon = 0,6Ω,

V GE = 15V

T j = 25 ℃

112

μC

T j = 125 ℃

224

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

T j = 25 ℃

850

A

T j = 125 ℃

1070

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

T j = 25 ℃

48.0

mJ

T j = 125 ℃

96.0

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

R θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

19.7

K/kW

R θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

31.3

K/kW

R θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

8

K/kW

Peso

Peso Modulo

1050

g