GD900HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =90 o C

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C

3409

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

Unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo età

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms

1800

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t p =10ms @ T j = 25 o C @ T j = 150 o C

4100

3000

A

Io 2t

Io 2valore t, t p =10ms @ T j = 25 o C

@ T j = 150 o C

84000

45000

A 2s

Il simbolo

Descrizione

Valore

Unità

T jmax

Temperatura massima di giunzione

175

o C

T - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

o C

T STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

o C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 25 o C

1.40

1.85

V

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 125 o C

1.60

Io C = 900 A, V GE = 15V, T j = 175 o C

1.65

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

51.5

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.36

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

13.6

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j = 25 o C

330

nS

t r

Tempo di risalita

140

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

842

nS

t f

Tempo di caduta

84

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

144

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

87.8

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j = 125 o C

373

nS

t r

Tempo di risalita

155

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

915

nS

t f

Tempo di caduta

135

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

186

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

104

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R G = 0,51Ω, L S = 40nH, V GE =-8V/+15V,

T j = 175 o C

390

nS

t r

Tempo di risalita

172

nS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

950

nS

t f

Tempo di caduta

162

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

209

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

114

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 8 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,

T j = 175 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 25 o C

1.55

2.00

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T j =1 25o C

1.65

Io F = 900 A, V GE =0V,T j =1 75o C

1.55

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4930A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T j = 25 o C

91.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

441

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

26.3

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4440A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T j = 125 o C

141

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

493

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

42.5

mJ

Q r

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4160A/μs,V GE = 8V, L S = 40 nH ,T j = 175 o C

174

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

536

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

52.4

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Il simbolo

Parametri

Min.

Tipo.

Max.

Unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.044

0.076

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Cassa-sink (per Modulo)

0.028

0.049

0.009

C/W

M

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Peso di Modulo

350

g