Modulo IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD650HFX170P1S

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione azione

Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 650A

Caratteristiche

Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT tECNOLOGIA
10 μs capacita' di cortocircuito ilità
V CE (seduto ) con positivo temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175o C
Diode ingrandita per rigenerativa operazione
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Alta potenza e capacità di ciclo termico tà

Tipico Applicazioni

Convertitore ad alta potenza
Energia eolica e solare
Azionamento di trazione

Assoluto Massimo Classificazioni T C = 25 o C a meno che altrimenti nota

IGBT

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 o C @ T C = 100o C	1073 650	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t p =1 ms	1300	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 o C	4.2	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	650	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms	1300	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	Valore	Unità
T jmax	Temperatura massima di giunzione	175	o C
T - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	o C
T STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +150	o C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =650A,V GE = 15V, T j = 25 o C		1.90	2.35	V
		Io C =650A,V GE = 15V, T j = 125 o C		2.35
		Io C =650A,V GE = 15V, T j = 150 o C		2.45
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF Corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, T j = 25 o C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello Corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C			400	nA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.3		ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		72.3		nF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		1.75		nF
Q G	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		5.66		μC
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 o C		468		nS
t r	Tempo di risalita			86		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			850		nS
t f	Tempo di caduta			363		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			226		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			161		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C		480		nS
t r	Tempo di risalita			110		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			1031		nS
t f	Tempo di caduta			600		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			338		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			226		mJ
t p (oN )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C		480		nS
t r	Tempo di risalita			120		nS
t p (oFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			1040		nS
t f	Tempo di caduta			684		nS
E oN	Accendere Commutazione Perdita			368		mJ
E oFF	Sconto di accensione Perdita			242		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, T j = 150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2600		A

Diodo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =650A,V GE =0V,T j = 25 o C		1.85	2.30	V
		Io F =650A,V GE =0V,T j = 125o C		1.98
		Io F =650A,V GE =0V,T j = 150o C		2.02
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C		176		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			765		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			87.4		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C		292		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			798		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			159		mJ
Q r	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C		341		μC
Io RM	Verso il picco inverso Corrente di recupero			805		A
E ricerca	Ritorno al recupero Energia			192		mJ

NTC Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
δR/R	Deviazione di R 100	T C = 100 o C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza Dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	Valore B	R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modulo Caratteristiche T C = 25 o C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	Unità
L CE	Induttanza di deflusso		18		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.30		mΩ
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		13.5 26.9 4.5		K/kW
M	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
G	Peso di Modulo		810		g