GD650HFX170P1S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =650A,V GE = 15V, T j = 25 o C

1.90

2.35

V

Io C =650A,V GE = 15V, T j = 125 o C

2.35

Io C =650A,V GE = 15V, T j = 150 o C

2.45

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , T j = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

Corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j = 25 o C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello Corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.3

ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.75

nF

Q G

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

5.66

μC

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 o C

468

nS

t r

Tempo di risalita

86

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

850

nS

t f

Tempo di caduta

363

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

226

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

161

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C

480

nS

t r

Tempo di risalita

110

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1031

nS

t f

Tempo di caduta

600

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

338

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

226

mJ

t p (oN )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C

480

nS

t r

Tempo di risalita

120

nS

t p (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1040

nS

t f

Tempo di caduta

684

nS

E oN

Accendere Commutazione

Perdita

368

mJ

E oFF

Sconto di accensione

Perdita

242

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j = 150 o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =650A,V GE =0V,T j = 25 o C

1.85

2.30

V

Io F =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

Io F =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 25 o C

176

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

765

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

87.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 125o C

292

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

798

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

159

mJ

Q r

Importo recuperato

V R =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V T j = 150o C

341

μC

Io RM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

805

A

E ricerca

Ritorno al recupero Energia

192

mJ

Il simbolo

Parametri

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di R 100

T C = 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

R 2=R 25esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K