GD650HFX170P1S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=650A,V GE = 15V, T j =25o C

1.90

2.35

V

IC=650A,V GE = 15V, T j =125o C

2.35

IC=650A,V GE = 15V, T j =150o C

2.45

V GE (th)

Limita di emissione della porta Tensione

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Collettore Tagliato -OFF

Corrente

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Perforazione del portello Corrente

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.3

ω

Cies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

72.3

nF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.75

nF

QG

Importo della porta

V GE =- 15…+15V

5.66

μC

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=650A, Barra Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j =25o C

468

nS

t barra

Tempo di risalita

86

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

850

nS

t f

Tempo di caduta

363

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

226

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

161

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=650A, Barra Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125o C

480

nS

t barra

Tempo di risalita

110

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1031

nS

t f

Tempo di caduta

600

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

338

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

226

mJ

t d (attivo )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C=650A, Barra Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150o C

480

nS

t barra

Tempo di risalita

120

nS

t d (oFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1040

nS

t f

Tempo di caduta

684

nS

Eattivo

Accendere Commutazione

Perdita

368

mJ

EoFF

Sconto di accensione

Perdita

242

mJ

ISC

Dati SC

t P≤ 10 μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

2600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

IF =650A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =650A,V GE =0V,T j = 125o C

1.98

IF =650A,V GE =0V,T j = 150o C

2.02

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

176

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

765

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

87.4

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

292

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

798

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

159

mJ

Qbarra

Importo recuperato

V Barra =900V,I F =650A,

-di/dt=5980A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

341

μC

IRM

Verso il picco inverso

Corrente di recupero

805

A

Ericerca

Ritorno al recupero Energia

192

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

UNITÀ

Barra 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

δR/R

Deviazione di Barra 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Potenza

Dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/50(1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/80(1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

Valore B

Barra 2=R 25esp [B 25/100(1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K