Breve introduzione
Modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 2400A.
Caratteristiche
-
Basso VCE(sat) Trincea IGBT tECNOLOGIA
- capacità di cortocircuito di 10 μs
-
VCE (sat) con positivo temperatura coefficiente
- Cassa a bassa induttanza
- FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
- Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Tipico Applicazioni
- Convertitori ad alta potenza
- Driver per motori
- Motori a inverter alternativi
Assoluto Massimo Classificazioni T C =25℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Descrizione |
GD2400SGT120C4S |
Unità |
V CES |
Tensione tra collettore ed emittente |
1200 |
V |
V GES |
Tensione del portatore-emittente |
±20 |
V |
S C |
Corrente Collettore @ T C =25℃
@ T C = 100℃
|
3800
2400
|
A |
S CM |
Corrente Collettore a Impulso t p =1ms |
4800 |
A |
S F |
Diodo di continua curvatura anteriore affitto |
2400 |
A |
S FM |
Corrente in Avanti Massima del Diodo t p =1 ms |
4800 |
A |
P D |
Dissipation di potenza massima @ T j =175℃ |
12.9 |
kw |
T jmax |
Temperatura massima di giunzione |
175 |
℃ |
T - Giappone |
Temperatura di funzionamento della giunzione |
-40 a +150 |
℃ |
T STG |
Temperatura di conservazione Autonomia |
-40 a +125 |
℃ |
V ISO |
Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min |
3400 |
V |
Montaggio Coppia |
Vite del Terminale di Segnale:M4 |
1.8 a 2.1 |
|
Vite del Terminale di Potenza:M8 |
8.0 a 10 |
N.M |
Fabbricazione di dispositivi di controllo: |
4.25 a 5.75 |
|
Peso |
PESO DI Modulo |
2300 |
g |
Elettrico Caratteristiche di IGBT T C =25℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V (BR )CES |
Collettore-emittente
Tensione di Rottura
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
S CES |
Collettore Tagliato -OFF
Corrente
|
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
mA |
S GES |
Perforazione del portello Corrente |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V GE (th) |
Limita di emissione della porta Tensione |
S C =96mA ,V CE =V GE , T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collettore all'emittente
Tensione di saturazione
|
S C =2400A,V GE = 15V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
S C =2400A,V GE = 15V, T j =125℃ |
|
2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
t d (su ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =2400A, Barra Gon = 1.2Ω,
Barra Goff =0.3Ω,
V GE = ± 15V,T j =25℃
|
|
600 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
215 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
810 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
145 |
|
nS |
E su |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
/ |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
/ |
|
mJ |
t d (su ) |
Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =2400A, Barra Gon = 1.2Ω,
Barra Goff =0.3Ω,
V GE = ± 15V,T j = 125℃
|
|
695 |
|
nS |
t barra |
Tempo di risalita |
|
235 |
|
nS |
t d (oFF ) |
Disattivamento Tempo di ritardo |
|
970 |
|
nS |
t f |
Tempo di caduta |
|
182 |
|
nS |
E su |
Accendere Commutazione
Perdita
|
|
488 |
|
mJ |
E oFF |
Sconto di accensione
Perdita
|
|
382 |
|
mJ |
C ies |
Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
173 |
|
nF |
C - Non |
Capacità di uscita |
|
9.05 |
|
nF |
C res |
Trasferimento inverso
Capacità
|
|
7.85 |
|
nF |
|
S SC
|
Dati SC
|
t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,
T j =125℃,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
9600
|
|
A
|
Q G |
Importo della porta |
V CC = 600V,I C =2400A, V GE =-15 ﹍+15V |
|
23.0 |
|
μC |
Barra Gint |
Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
|
0.42 |
|
ω |
L CE |
Induttanza di deflusso |
|
|
10 |
|
nH |
|
Barra CC+EE
|
Modulo piombo
La resistenza,
Terminal a chip
|
|
|
0.12
|
|
mΩ
|
Elettrico Caratteristiche di Diodo T C =25℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo |
Parametro |
Condizioni di prova |
Min. |
Tipo. |
Max. |
Unità |
V F |
Diodo di avanzamento
Tensione
|
S F =2400A
V GE =0V
|
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.05 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
|
Q barra |
Ricostruito
Carica
|
S F =2400A,
V Barra = 600V,
Barra Gon =0.3Ω,
V GE = 15V
|
T j =25℃ |
|
240 |
|
μC |
T j =125℃ |
|
460 |
|
S RM |
Verso il picco inverso
Corrente di recupero
|
T j =25℃ |
|
1650 |
|
A |
T j =125℃ |
|
2150 |
|
E ricerca |
Ritorno al recupero Energia |
T j =25℃ |
|
/ |
|
mJ |
T j =125℃ |
|
208 |
|
Caratteristica termica ics
Il simbolo |
Parametro |
Tipo. |
Max. |
Unità |
Barra θ JC |
Connessione con il caso (per IGB) T) |
|
11.6 |
K/kW |
Barra θ JC |
Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
19.7 |
K/kW |
Barra θ CS |
Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) |
4 |
|
K/kW |
EN
