MFC110, Modul rectifier thyristor pengelasan, Pendinginan udara

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃ )

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180° gelombang setengah sinus 50Hz Dingin sisi tunggal, Tc=85 ℃

125

110

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

173

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

20

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

10ms gelombang setengah sinus VR=60%VRRM

125

1.9

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

18.1

A ²s*10 ³

VTO

Tegangan Ambang

125

0.80

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

2.29

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=330A

25

1.80

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.6

2.5

V

IH

Arus penahan

10

250

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.25

℃ /W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.15

℃ /W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

Fm

Torsi koneksi termal (M5)

2.5

4.0

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6.0

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

100

g

Rangka kerja

224H3