Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD300HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Kemasan: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300HFX120C2SA
  • Pengantar
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pengantar

Perkenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER .1200V 300A.

Fitur

  • V rendah CE(sat) IGBT Trench T teknologi
  • 10μs sirkuit pendek kemampuan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
  • Basis tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Umum

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

477

300

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1578

S

Dioda

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Modul

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

IC= 300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.87

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

181

n

t r

Waktu naik

39

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

305

n

t f

Waktu musim gugur

199

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

22.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

21.0

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

191

n

t r

Waktu naik

45

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

357

n

t f

Waktu musim gugur

313

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

39.8

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

30.7

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C= 300A, R G=1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C

193

n

t r

Waktu naik

47

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

368

n

t f

Waktu musim gugur

336

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

44.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

32.3

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Dioda Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25o C

59.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

397

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125o C

91.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

383

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.5

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F = 300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150o C

99.6

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

39.1

mJ

Modul Karakteristik T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095 0.163

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.032 0.054 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap menunggu konsultasi Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama perusahaan
Pesan
0/1000