Pengenalan singkat
Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300A.
Fitur
-
V rendah CE(sat) IGBT Trench T teknologi
-
10μs sirkuit pendek kemampuan
-
V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
-
Maksimum suhu persimpangan 175o C
- Kasing induktansi rendah
-
Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
-
Basis tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC
Aplikasi Tipikal
- Inverter untuk motor drive
- AC dan DC servo drive amplifier
- Catu Daya Tak Terputus
Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V CES |
Tegangan kolektor-emitter |
1200 |
V |
V GES |
Tegangan gerbang-emitter |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C |
477
300
|
A |
Saya CM |
Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms |
600 |
A |
P P |
Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C |
1578 |
W |
Dioda
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental |
300 |
A |
Saya Fm |
Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms |
600 |
A |
Modul
Simbol |
Deskripsi |
Nilai |
Unit |
T vjmax |
Suhu Junction Maksimum |
175 |
o C |
T vjop |
Suhu Junction Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Rentang suhu penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit |
2500 |
V |
IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh
|
Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =125o C |
|
1.95 |
|
Saya C = 300A,V GE = 15V, T vj =150o C |
|
2.00 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gerbang-Emitor Tegangan |
Saya C =12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potong -MATI Arus |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gerbang-Emitor Arus |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Resistensi Gerbang Dalam keturunan |
|
|
1.0 |
|
ω |
C ies |
Kapasitas input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
31.1 |
|
nF |
C res |
Transfer Balik Kapasitansi |
|
0.87 |
|
nF |
Q G |
Biaya gerbang |
V GE =-15 ...+15V |
|
2.33 |
|
μC |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C
|
|
181 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
39 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
305 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
199 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
22.7 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
21.0 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C
|
|
191 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
45 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
357 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
313 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
39.8 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
30.7 |
|
mJ |
t p (pADA ) |
Waktu penundaan menyala |
V CC =600V,I C = 300A, R G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C
|
|
193 |
|
n |
t r |
Waktu naik |
|
47 |
|
n |
t d ((off) |
Matikan Waktu tunda |
|
368 |
|
n |
t f |
Waktu musim gugur |
|
336 |
|
n |
E pADA |
Nyalakan Beralih Kerugian |
|
44.2 |
|
mJ |
E mATI |
Switching Matikan Kerugian |
|
32.3 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1200
|
|
A
|
Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Kondisi pengujian |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Tegangan |
Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Saya F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 300A,
-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25o C
|
|
59.7 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
397 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
24.9 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 300A,
-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125o C
|
|
91.8 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
383 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
36.5 |
|
mJ |
Q r |
Muatan yang Dipulihkan |
V R =600V,I F = 300A,
-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150o C
|
|
99.6 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Balik
Arus pemulihan
|
|
380 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Energi |
|
39.1 |
|
mJ |
Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- Tempel. |
Maks. |
Unit |
L CE |
Induktansi Sisa |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
R thJC |
Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium) |
|
|
0.095 0.163 |
K/W |
|
R thCH
|
Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule) |
|
0.032 0.054 0.010 |
|
K/W |
M |
Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M |
G |
Berat dari Modul |
|
300 |
|
g |