GD75PFX170C6SG, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C

139

75

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

150

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj = 175 o C

559

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

75

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

150

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

2000

V

Saya O

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

75

A

Saya FSM

Arus Maju Lonjakan t p =10ms @ T vj = 25o C @ T vj = 150 o C

1440

1206

A

Saya 2t

Saya 2nilai t, t p =10ms @ T vj =25 o C @ T vj = 150 o C

10368

7272

A 2s

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum (inverter) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =25 o C

1.85

2.20

V

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj =125 o C

2.25

Saya C =75A,V GE = 15V, T vj = 150 o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

8.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.22

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,T vj =25 o C

236

n

t r

Waktu naik

42

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

356

n

t f

Waktu musim gugur

363

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

17.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

11.7

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,T vj =125 o C

252

n

t r

Waktu naik

48

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

420

n

t f

Waktu musim gugur

485

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

27.1

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

16.6

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =75A, R G =6.8Ω,V GE = ± 15V, L S =46 nH ,T vj = 150 o C

275

n

t r

Waktu naik

50

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

432

n

t f

Waktu musim gugur

524

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

27.9

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

17.7

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj = 150 o C ,V CC =1000V

,

V CEM ≤ 1700V

300

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.80

2.25

V

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =12 5o C

1.90

Saya F =75A,V GE =0V,T vj =15 0o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1290A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,T vj =25 o C

10.3

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

84

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

7.44

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1100A/μs,V GE =- 15V L S =46 nH ,T vj =125 o C

20.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

87

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

16.1

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =75A,

-di/dt=1060A/μs,V GE = 15V L S =46 nH ,T vj = 150 o C

22.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

97

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

19.2

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya C =75A, T vj = 150 o C

0.95

V

Saya R

Arus balik

T vj = 150 o C ,V R =2000V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Daya

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier)

0.268 0.481 0.289

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.106 0.190 0.114 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g