Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD300CUX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Modul IGBT, 1200V 300A, Kemasan: C2

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300CUX120C2SA
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
  • Skema Sirkuit Setara
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1200V 300A.

Fitur

  • VCE rendah (sat) Teknologi IGBT trench
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE (sat) dengan positif suhu koefisien
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Catu daya mode switching
  • Pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

477

300

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

600

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1578

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

600

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =125o C

1.95

B C = 300A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.0

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.87

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, Batang G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =25o C

181

n

t batang

Waktu naik

39

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

305

n

t f

Waktu musim gugur

199

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

22.7

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

21.0

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, Batang G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =125o C

191

n

t batang

Waktu naik

45

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

357

n

t f

Waktu musim gugur

313

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

39.8

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

30.7

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C = 300A, Batang G =1.3Ω, Ls=43nH, V GE = ± 15V,T vj =150o C

193

n

t batang

Waktu naik

47

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

368

n

t f

Waktu musim gugur

336

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

44.2

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

32.3

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

B F = 300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F = 300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F = 300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 300A,

-di/dt=7400A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =25o C

59.7

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

397

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

24.9

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 300A,

-di/dt=6300A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =125o C

91.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

383

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

36.5

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang =600V,I F = 300A,

-di/dt=6100A/μs, Ls=43nH, V GE =-15V,T vj =150o C

99.6

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

380

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

39.1

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.095 0.163

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.022 0.037 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Skema Sirkuit Setara

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000