Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 600A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 600A.

Fitur

  • V rendah CE (sat ) Lubang IGBT tEKNOLOGI
  • 10 μs kapasitas sirkuit pendek keadilan
  • V CE (sat ) dengan positif suhu koefisien
  • Maksimum suhu persimpangan 175o C
  • Induktansi rendah kasus
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut fWD anti paralel
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi HPS DBC

Khas Aplikasi

  • Inverter untuk motor d rive
  • AC dan DC servo mengemudikan penguat
  • Daya tak terputus pasokan

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

925

600

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3000

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

B F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

B C =600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

B C =600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.84

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G = 1,2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

308

n

t batang

Waktu naik

42

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

431

n

t f

Waktu musim gugur

268

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

15.7

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

51.3

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G = 1,2Ω, L S =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

311

n

t batang

Waktu naik

49

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

467

n

t f

Waktu musim gugur

351

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

31.1

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

69.4

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, Batang G = 1,2Ω, L S =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

313

n

t batang

Waktu naik

51

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

475

n

t f

Waktu musim gugur

365

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

34.8

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

71.1

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

B F =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

B F =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

38.1

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

524

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.9

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E =- 15V, T j = 125o C

82.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

565

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

54.4

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E =- 15V, T j = 150o C

94.7

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

589

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

55.8

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.050

0.080

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000