GD600HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

925

600

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3000

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.84

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω,L D=20nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

308

n

t r

Waktu naik

42

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

431

n

t f

Waktu musim gugur

268

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

15.7

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

51.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω, LD=20nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

311

n

t r

Waktu naik

49

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

467

n

t f

Waktu musim gugur

351

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

31.1

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

69.4

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=600A, R G= 1,2Ω, LD=20nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

313

n

t r

Waktu naik

51

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

475

n

t f

Waktu musim gugur

365

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

34.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

71.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

IF =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

38.1

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

524

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.9

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V GE=- 15V, T j = 125o C

82.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

565

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

54.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V GE=- 15V, T j = 150o C

94.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

589

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

55.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g