GD600HFX120C2SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C = 100o C

925

600

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

1200

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

3000

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

Saya F

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

600

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

1200

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Rentang

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

Saya C =600A,V GE = 15V, T j =25o C

1.65

2.00

V

Saya C =600A,V GE = 15V, T j =125o C

1.95

Saya C =600A,V GE = 15V, T j =150o C

2.00

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI

Arus

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

60.8

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.84

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

4.64

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω,L S =20nH, V GE = ± 15V,T j =25o C

308

n

t r

Waktu naik

42

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

431

n

t f

Waktu musim gugur

268

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

15.7

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

51.3

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω, L S =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =125o C

311

n

t r

Waktu naik

49

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

467

n

t f

Waktu musim gugur

351

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

31.1

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

69.4

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =600A, R G = 1,2Ω, L S =20nH ,

V GE = ± 15V,T j =150o C

313

n

t r

Waktu naik

51

n

t p (mATI )

Matikan Waktu tunda

475

n

t f

Waktu musim gugur

365

n

E pADA

Nyalakan Beralih

Kerugian

34.8

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

71.1

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

Saya F =600A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 125o C

1.90

Saya F =600A,V GE =0V,T j = 150o C

1.95

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE =- 15V, T j =25o C

38.1

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

524

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

34.9

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V G E =- 15V, T j = 125o C

82.8

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

565

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

54.4

mJ

Q r

Muatan yang Dipulihkan

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V G E =- 15V, T j = 150o C

94.7

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

589

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

55.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.050

0.080

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.033

0.052

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g