MTx400 MFx400 MT400, Modul Thyristor/Diode, Pendinginan Air

VRRM,VDRM

Tipe & Garis Besar

2600V

2800V

tegangan 3000V

3200V

3400V

3600V

3600V

MTx400-26-406F3

MTx400-28-406F3

MTx400-30-406F3

MTx400-32-406F3

MTx400-34-406F3

MTx400-36-406F3

MT420-320-320F3G

MFx400-26-406F3

MFx400-28-406F3

MFx400-30-406F3

MFx400-32-406F3

MFx400-34-406F3

MFx400-36-406F3

MTx adalah singkatan dari setiap jenis MTC, MTA, MTK

MFx adalah singkatan dari setiap jenis MFC, MFA, MFK

Simbol

Karakteristik

Kondisi pengujian

Tj( ℃)

Nilai

Unit

Min

TIPE

Max.

IT(AV)

Arus rata-rata dalam keadaan hidup

180°gelombang setengah sinus 50Hz

Satu sisi didinginkan, THS=55 ℃

125

400

A

IT(RMS)

Arus on-state RMS

628

A

Idrm Irrm

Arus puncak repetitif

pada VDRM pada VRRM

125

50

mA

ITSM

Arus dalam keadaan hidup lonjakan

VR=60%VRRM, t=10ms setengah sinus,

125

10.5

kA

I2t

I2t untuk koordinasi peleburan

125

551

10³A ²s

VTO

Tegangan Ambang

125

0.85

V

rT

Resistansi kemiringan dalam keadaan hidup

0.90

mΩ

VTM

Tegangan puncak dalam keadaan hidup

ITM=1200A

25

2.85

V

dv/dt

Laju kritis kenaikan tegangan off-state

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tingkat kritis peningkatan arus pada keadaan aktif

Sumber gerbang 1.5A

tr ≤0.5μs Berulang

125

200

A/μs

IGT

Arus pemicu gerbang

VA=12V, IA=1A

25

30

200

mA

Vgt

Tegangan pemicu gerbang

0.8

3.0

V

IH

Arus penahan

10

200

mA

IL

Arus pengunci

1000

mA

VGD

Tegangan gerbang non-pemicu

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistansi termal Junction ke casing

Dingin sisi tunggal per chip

0.100

℃/W

Rth(c-h)

Resistansi termal casing ke heatsink

Dingin sisi tunggal per chip

0.040

℃/W

VISO

Tegangan isolasi

50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(maks)

4000

V

Fm

Torsi koneksi terminal ((M12)

12

14

Jumlah

Torsi pemasangan(M6)

4.5

6

Jumlah

TVj

Suhu persimpangan

-40

125

℃

TSTG

Suhu yang disimpan

-40

125

℃

Wt

Berat

1580

g

Rangka kerja

406F3