GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

324

200

A

Saya CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

P P

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1181

W

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

Saya F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

200

A

Saya Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

Deskripsi

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

Saya C =200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya C =200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

Saya C =200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

Saya C =8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potong -MATI Arus

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Arus

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.59

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

100

n

t r

Waktu naik

72

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

303

n

t f

Waktu musim gugur

71

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

26.0

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

6.11

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

99

n

t r

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

325

n

t f

Waktu musim gugur

130

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

33.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

8.58

mJ

t p (pADA )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =200A, R G = 4,7Ω, L S =45nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

98

n

t r

Waktu naik

80

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

345

n

t f

Waktu musim gugur

121

n

E pADA

Nyalakan Beralih Kerugian

36.2

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

9.05

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Saya F =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE = 15V, L S =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

96

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.66

mJ

Q r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE = 15V, L S =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

106

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.56

mJ

Q r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE = 15V, L S =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

Saya RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

107

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g