GD200HFQ120C2SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1181

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=8.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

3.8

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

21.6

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.59

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15…+15V

1.68

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LD=45nH , V GE = ± 15V,T vj =25o C

100

n

t r

Waktu naik

72

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

303

n

t f

Waktu musim gugur

71

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

26.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

6.11

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LD=45nH , V GE = ± 15V,T vj =125o C

99

n

t r

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

325

n

t f

Waktu musim gugur

130

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

33.5

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

8.58

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=200A, R G= 4,7Ω, LD=45nH , V GE = ± 15V,T vj =150o C

98

n

t r

Waktu naik

80

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

345

n

t f

Waktu musim gugur

121

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

36.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

9.05

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

750

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1890A/μs,V GE = 15V, LD=45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

96

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

5.66

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1680A/μs,V GE = 15V, LD=45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

106

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

8.56

mJ

T r

Dipulihkan Biaya

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=1600A/μs,V GE = 15V, LD=45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

107

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

9.24

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan ke kasus (per D) yodium)

0.127 0.163

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.036 0.046 0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g