GD400HFX120C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=90o C

595

400

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

1875

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Balik Puncak Berulang

1200

V

IF

Diode terus menerus ke depan Cur =0V,

400

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu Penyimpanan Jangkauan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t=1 mENIT

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

IC=400A,V GE = 15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=400A,V GE = 15V, T j =125o C

2.00

IC=400A,V GE = 15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC= 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

37.3

nF

Cres

Transfer Balik

Kapasitansi

1.04

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

2.80

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j =25o C

205

n

t r

Waktu naik

77

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

597

n

t f

Waktu musim gugur

98

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

18.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

32.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 125o C

214

n

t r

Waktu naik

86

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

626

n

t f

Waktu musim gugur

137

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

28.4

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

48.9

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C=400A, R G= 2,0Ω,

V GE = ± 15V, T j = 150o C

198

n

t r

Waktu naik

94

n

t d (mATI )

Matikan Waktu tunda

646

n

t f

Waktu musim gugur

147

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan

Kerugian

30.8

mJ

EmATI

Switching Matikan

Kerugian

53.8

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10μs,V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1440

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju

Tegangan

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

2.15

V

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =400A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

40

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

299

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.0

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

70

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

399

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

80

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

419

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

43.9

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

15

nH

R CC+EE

Modul Lead Resista nce, terminal ke chip

0.25

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.080

0.095

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (p (diode)

Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.037

0.044

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g