Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1700V

Modul IGBT 1700V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1700V

GD150HCX170C6SA ,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1700V 150A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD150HCX170C6SA
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT ,diproduksi oleh STARPOWER . 1700V 150A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Tipikal

  • Inverter untuk motor drive
  • AC dan DC servo drive amplifier
  • Catu Daya Tak Terputus

Absolute Maksimum Peringkat T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C

281

150

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

1136

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

B C =150A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

B C =150A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

B C =150A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =6.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

4.3

ω

C ies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C

206

n

t batang

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

337

n

t f

Waktu musim gugur

331

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

39.5

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

21.7

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C

232

n

t batang

Waktu naik

54

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

422

n

t f

Waktu musim gugur

514

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

55.3

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

32.7

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C =150A, Batang G =0.51Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =48nH ,T vj =150o C

239

n

t batang

Waktu naik

57

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

442

n

t f

Waktu musim gugur

559

n

E pada

Nyalakan Beralih Kerugian

60.8

mJ

E mATI

Switching Matikan Kerugian

34.9

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

600

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V F

Dioda Maju Tegangan

B F =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

B F =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.95

B F =150A,V GE =0V,T vj =150o C

1.90

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

142

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.3

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

147

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

35.0

mJ

Q batang

Muatan yang Dipulihkan

V Batang = 900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V GE = 15V Bahasa Inggris =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

148

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

38.8

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

1.10

Batang thJC

Perpaduan -terhadap -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.132 0.209

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.029 0.047 0.009

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Rangka kerja

image(c537ef1333).png

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Harga Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Surel
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000