GD50PIX170C6SA, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

100

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

384

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

100

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1600

V

IO

Arus Keluaran Rata-rata 5 0Hz/60Hz, gelombang sinus

50

A

IFSM

Arus Surges Maju V R =0V,T p =10ms,T j =45o C

850

A

I2t

I2t-nilai,V R =0V,T p =10m s,T j =45o C

3610

A2d

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

100

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

384

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

50

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

100

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum (inverter, rem) Suhu Junction Maksimum (rektifier)

175

150

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=50A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistansi Gerbang Internal tance

9.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

163

n

t r

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

290

n

t f

Waktu musim gugur

347

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

12.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

7.28

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

186

n

t r

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t f

Waktu musim gugur

535

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

17.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

11.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

192

n

t r

Waktu naik

52

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

374

n

t f

Waktu musim gugur

566

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

20.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

12.0

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

48

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.08

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

52

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

54

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =50A, V GE =0V, T j =150o C

1.14

V

IR

Arus balik

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=50A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=50A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

9.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.02

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.15

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

0.47

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =25o C

163

n

t r

Waktu naik

44

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

290

n

t f

Waktu musim gugur

347

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

12.7

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

7.28

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =125o C

186

n

t r

Waktu naik

51

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

361

n

t f

Waktu musim gugur

535

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

17.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

11.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=50A, R G=9.6Ω,V GE = ± 15V, T j =150o C

192

n

t r

Waktu naik

52

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

374

n

t f

Waktu musim gugur

566

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

20.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

12.0

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

200

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.90

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =25o C

11.8

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

48

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

6.08

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =125o C

20.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

52

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.4

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =50A,

-di/dt=850A/μs,V GE = 15V T j =150o C

23.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

54

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

13.1

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

60

nH

R CC+EE R A A ’+CC ’

Modul Lead Resista nce,Terminasi ke Chip

4.00 2.00

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -inverter ) Junction-ke-Case (per DIODE-inverter ter) Junction-ke-Casing (per Diode-rektif ier) Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT -rem )

Junction-ke-Case (per Diode-br ake)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

K/W

R thCH

Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -inverter )Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-i nverter) Casing-ke-Penyerap Panas (per Diode-re pemurni) Kasus -ke -Heat sink (perIGBT -rem )

Case-ke-Heatsink (per Dio de-brake) Kasus-ke-Heatsink (per Modul)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

K/W

M

Torsi pemasangan, Sekrup:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g