Semua Kategori
Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Halaman Utama /  Produk /  Modul IGBT /  Modul IGBT 1200V

GD400HFQ120C2SD, Modul IGBT, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Pendahuluan
  • Rangka kerja
Pendahuluan

Pengenalan singkat

Modul IGBT , diproduksi oleh STARPOWER. 1200V 400A.

Fitur

  • Teknologi Trench IGBT VCE(sat) Rendah
  • kemampuan hubung singkat 10μs
  • VCE(sat) dengan koefisien suhu positif
  • Suhu junction maksimum 175oC
  • Kasing induktansi rendah
  • Pemulihan balik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan dasar tembaga terisolasi menggunakan teknologi DBC

Khas Aplikasi

  • Catu daya mode switching
  • Pemanasan induktif
  • Mesin pengelasan elektronik

Absolute Maksimum Peringkat T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1200

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

B C

Arus Pengumpul @ T C =25o C

@ T C =100o C

769

400

A

B CM

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

800

A

P D

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

2272

S

Dioda

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

B F

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

400

A

B Fm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Modul

Simbol

Deskripsi

Nilai

Satuan

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

2500

V

IGBT Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor

Tegangan Jenuh

B C =400A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

B C =400A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

B C =400A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

B C =16.00mA ,V CE =V GE ,T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

B CES

Kolektor Memotong -MATI

Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V,

T vj =25o C

1.0

mA

B GES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Batang Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

ω

C ies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

Transfer Balik

Kapasitansi

1.18

nF

Q G

Biaya gerbang

V GE =- 15…+15V

3.36

μC

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =2Ω, L S =45nH ,

V GE = ± 15V, T vj =25o C

288

n

t batang

Waktu naik

72

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

314

n

t f

Waktu musim gugur

55

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

43.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

12.4

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =2Ω, L S =45nH ,

V GE = ± 15V, T vj =125o C

291

n

t batang

Waktu naik

76

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

351

n

t f

Waktu musim gugur

88

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

57.6

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

17.1

mJ

t d (pada )

Waktu penundaan menyala

V CC =600V,I C =400A, Batang G =2Ω, L S =45nH ,

V GE = ± 15V, T vj =150o C

293

n

t batang

Waktu naik

78

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

365

n

t f

Waktu musim gugur

92

n

E pada

Nyalakan Beralih

Kerugian

62.8

mJ

E mATI

Switching Matikan

Kerugian

18.6

mJ

B SC

Data SC

t P ≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Dioda Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

Unit

V F

Dioda Maju

Tegangan

B F =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

B F =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

B F =400A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

Q batang

Dipulihkan

Biaya

V Batang =600V,I F =400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =25o C

38.8

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

252

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

11.2

mJ

Q batang

Dipulihkan

Biaya

V Batang =600V,I F =400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =125o C

61.9

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

255

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

18.7

mJ

Q batang

Dipulihkan

Biaya

V Batang =600V,I F =400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE =- 15V, L S =45nH ,T vj =150o C

75.9

μC

B RM

Puncak Balik

Arus pemulihan

257

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Energi

20.5

mJ

Modul Karakteristik T C =25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

Satuan

L CE

Induktansi Sisa

20

nH

Batang CC+EE

Resistansi Koneksi Modul, Terminal ke Chip

0.35

Batang thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.066

0.115

K/W

Batang thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT)

Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda)

Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g

Rangka kerja

image(c3756b8d25).png

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Produk Terkait

Punya pertanyaan tentang produk apa pun?

Tim penjualan profesional kami siap memberikan konsultasi untuk Anda.
Anda dapat mengikuti daftar produk mereka dan mengajukan pertanyaan apa pun yang Anda pedulikan.

Dapatkan Penawaran Harga

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000

Dapatkan Penawaran Gratis

Perwakilan kami akan segera menghubungi Anda.
Email
Nama
Nama Perusahaan
Pesan
0/1000