GD150HFX170C1S,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C@ T C=95o C

229

150

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

300

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T j =175o C

815

S

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

150

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

300

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS,f=50Hz,t= 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=150A,V GE = 15V, T j =25o C

1.85

2.30

V

IC=150A,V GE = 15V, T j =125o C

2.25

IC=150A,V GE = 15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=6.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

5.0

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

0.44

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, LD=70nH ,T j =25o C

303

n

t r

Waktu naik

75

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

417

n

t f

Waktu musim gugur

352

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

42.3

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

25.3

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, LD=70nH ,T j =125o C

323

n

t r

Waktu naik

88

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

479

n

t f

Waktu musim gugur

509

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

58.9

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

34.9

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C=150A, R G=3.3Ω,V GE = ± 15V, LD=70nH ,T j =150o C

327

n

t r

Waktu naik

90

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

498

n

t f

Waktu musim gugur

608

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

65.6

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

40.2

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V GE = 15V LD=70nH ,T j =25o C

26.2

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

131

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

21.6

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V GE = 15V LD=70nH, T j =125o C

48.0

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

140

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

40.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V GE = 15V LD=70nH, T j =150o C

52.3

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

142

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

42.5

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

30

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.65

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

0.184 0.368

K/W

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

0.150 0.300 0.050

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M5 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Berat dari Modul

150

g