GD400HTX120P4SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1200

V

IFN

Pelaksanaan Forward Cu rental

400

A

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

300

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

800

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T jopp

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

2500

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC= 300A,V GE = 15V, T j =25o C

1.50

1.95

V

IC= 300A,V GE = 15V, T j =125o C

1.60

IC= 300A,V GE = 15V, T j =150o C

1.65

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=16.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.3

5.8

6.3

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam

0.5

ω

Cies

Kapasitas input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

41.4

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

1.16

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =15V

3.11

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Bahasa Inggris =25nH ,T j =25o C

223

n

t r

Waktu naik

32

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

354

n

t f

Waktu musim gugur

228

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

6.24

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

20.1

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Ls=25nH,T j =125o C

229

n

t r

Waktu naik

36

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

411

n

t f

Waktu musim gugur

344

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

11.0

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

28.6

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC =500V,I C= 300A, R G=1.5Ω,V GE = ± 15V, Ls=25nH,T j =150o C

231

n

t r

Waktu naik

38

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

421

n

t f

Waktu musim gugur

352

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

12.2

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

29.7

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF = 300A,V GE =0V,T j =25o C

1.35

1.80

V

IF = 300A,V GE =0V,T j =125o C

1.35

IF = 300A,V GE =0V,T j =150o C

1.35

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =500V,I F = 300A,

-di/dt=9700A/μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =25o C

32.7

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

478

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

22.1

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =500V,I F = 300A,

-di/dt=8510A/μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =125o C

45.9

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

522

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

32.7

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R =500V,I F = 300A,

-di/dt=8250A/μs,V GE = 15V Ls=25nH,T j =150o C

51.5

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

537

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

37.4

mJ

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

R 25

Rentang Rating

5.0

kΩ

∆R/R

Penyimpangan dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

POWER

Dissipasi

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25eksp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

△p

Tekanan Turun pendinginan Cir menggemaskan

△V/ △t=10.0 dm 3/mENIT ;T F =25o C;Pendinginan Cairan = 50% Air/50% Etilena Glikol

100

mbar

p

Tekanan Maksimum Dalam Sirkulasi Pendinginan menggemaskan

2.5

baton

LCE

Induktansi Sisa

14

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.80

mΩ

R thJF

Perpaduan -ke -Pendinginan Cairan (perIGBT ) Sambungan-ke-Cairan Pendingin (per Di (Inggris)

0.100 0.125

K/W

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M6 Torsi pemasangan, Sekrup M6

2.5 3.0

5.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

1340

g