GD1200HFX170C3S,Modul IGBT,Modul IGBT arus tinggi,STARPOWER

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V CES

Tegangan kolektor-emitter

1700

V

V GES

Tegangan gerbang-emitter

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

Arus Kolektor Berdenyut t p = 1ms

2400

A

PD

Daya Maksimum yang Dihilangkan @ T vj =175o C

6.55

kW

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

V RRM

Volt Pintu Kembali Puncak Ulang usia

1700

V

IF

Dioda Arus Maju Kontinu Cu rental

1200

A

IFm

Arus Maju Maksimum Dioda t p = 1ms

2400

A

Simbol

DESKRIPSI

Nilai

UNIT

T vjmax

Suhu Junction Maksimum

175

o C

T vjop

Suhu Junction Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Rentang suhu penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Tegangan Isolasi RMS, f=50Hz, t = 1 menit

4000

V

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V CE(sat)

Kolektor ke Emitor Tegangan Jenuh

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =125o C

2.25

IC=1200A,V GE = 15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gerbang-Emitor Tegangan

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Memotong -MATI Saat ini

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gerbang-Emitor Saat ini

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Resistensi Gerbang Dalam keturunan

1.6

ω

Cies

Kapasitas input

V CE = 25V, f = 100kHz, V GE =0V

142

nF

Cres

Transfer Balik Kapasitansi

3.57

nF

T G

Biaya gerbang

V GE =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

LD=110nH,T vj =25o C

700

n

t r

Waktu naik

420

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1620

n

t f

Waktu musim gugur

231

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

616

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

419

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

LD=110nH,T vj =125o C

869

n

t r

Waktu naik

495

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

1976

n

t f

Waktu musim gugur

298

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

898

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

530

mJ

t d (aktif )

Waktu penundaan menyala

V CC = 900V,I C= 1200A, R Gon =1.5Ω, R Goff = 3,3Ω, V GE =-10/+15V,

LD=110nH,T vj =150o C

941

n

t r

Waktu naik

508

n

t d ((off)

Matikan Waktu tunda

2128

n

t f

Waktu musim gugur

321

n

Eaktif

Nyalakan Pengalihan Kerugian

981

mJ

EmATI

Switching Matikan Kerugian

557

mJ

ISC

Data SC

t P≤ 10 μs, V GE = 15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

4800

A

Simbol

Parameter

Kondisi pengujian

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

V F

Dioda Maju Tegangan

IF =1200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, LD=110nH,T vj =25o C

217

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

490

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

108

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, LD=110nH,T vj =125o C

359

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

550

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

165

mJ

T r

Muatan yang Dipulihkan

V R = 900V,I F = 1200A,

-di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, LD=110nH,T vj =150o C

423

μC

IRM

Puncak Balik

Arus pemulihan

570

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Energi

200

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- Tempel.

Maks.

UNIT

LCE

Induktansi Sisa

20

nH

R CC+EE

Resistansi Kaki Modul, Terminal ke chip

0.37

mΩ

R thJC

Perpaduan -ke -Kasus (perIGBT ) Hubungan dengan Casing (per Di) (Inggris)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Kasus-ke-Heatsink (per IGBT) Kasus-ke-Heatsink (pe) r Dioda) Kasus-ke-Heatsink (per M) odule)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Torsi koneksi terminal, Sekrup M4 Torsi koneksi terminal, Sekrup M8 Torsi pemasangan, Sekrup M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1500

g